Підсилювач (мал. 11.19) забезпечує генерацію потужних сигналів амплітудою ± 90 B і струмом 10 А. Слід зазначити, що можливості цього підсилювача приблизно вдвічі перевищують потенціал мікросхеми LM12. Застосовуваний ОУ

 

обмежує рівні потужності і струму для сигналів, що надходять на дискретні транзистори.

National Semiconductor Рис. I 1.19