100M

Рис. 6.12а відповідає схемі смугового підсилювача, для якого нижня частота посилення обумовлена імпеданс схеми з активною междуелектродной провідністю. Верхня частота посилення залежить від імпедансу RC-схеми на виході підсилювача.

Ha рис. 6.126 наведена частотна характеристика підсилювача для випадку R t = – 100 Ом, C t – 20 пФ, R L – 25 Ом, C L = 395 пФ.