Пропонований імпульсний стабілізатор напруги від аналогічних пристроїв відрізняється простотою, хорошою повторюваністю і відсутністю регулювальних елементів.

Схема стабілізатора приведена на рис. 1.13. При включенні живлення напруга на конденсаторі С2 дорівнює нулю і через резистор R1 та емітерний переходи транзисторів VT1 і VT2 починає протікати струм. Транзистори VT1 ??і VT2, а слідом за ними і транзистори VT3 і VT4 відкриваються. Конденсатор С2 починає заряджатися струмом, що протікає через дросель L1.

   

Коли напруга на конденсаторі перевищить напругу стабілізації стабілітрона VD3, транзистори VT1 ??і VT2 закриваються, в результаті чого закриваються і транзистори VT3, VT4. Діод VD4 забезпечує шлях струму дроселя L1, коли транзистор VT4 закритий. Коли напруга на конденсаторі С2 стане менше напруги стабілізації стабілітрона VD3, процес повторюється.

Із зазначеними на схемі елементами вихідна напруга стабілізатора складає близько 5 В, а максимальний струм "навантаження – 0,5 … 0,7 А. Рівень пульсації при вихідному струмі 0,7 А – близько 0,1 В і від навантаження мало залежить: більшою мірою він залежить

від опору резисторів R1 і R2. ККД стабілізатора – приблизно 80 … 85%. Вхідна напруга пристрою обмежена гранично допустимими напругами транзисторів VT1 … VT4 і для зазначених приладів не повинна перевищувати 25 В.

Якщо буде потрібно стабілізатор на інше вихідна напруга, слід встановити стабілітрон з напругою стабілізації, рівним необхідному вихідного. Інші елементи пристрою при цьому не змінюються, необхідно лише стежити, щоб робочий струм стабілітрона, що протікає через резистор R1, не був менше мінімально допустимого для цього приладу. В іншому випадку опір резисторів R1 і R2 слід зменшити до отримання потрібного струму так, щоб їх співвідношення залишилося незмінним.

Дросель L1 намотаний на кільцевому магнітопроводі К20х12х6 з фериту М2000НМ з зазором 0,25 мм і містить 60 витків дроту ПЕВ-2-0, 6. Можливе застосування промислових дроселів Д-0, 3 (якщо струм навантаження не перевищує 0,3 А) індуктивністю не менше 100 мкГн. На місці транзистора VT3 можна налаштувати високочастотний транзистор з максимальним струмом колектора не менше 300 мА, а на місці VT4 – будь-який з серій КТ802, КТ805. Діод КД212Д (VD4) замінимо будь-яким з допустимою робочою частотою не менше 100 кГц, наприклад, із серій КД212, КД213, КД2997 … КД2999. Ємність конденсатора С1 (обов'язково керамічного) може бути в межах 0,33 … 1 мкФ.

Правильно зібраний стабілізатор налагодження не вимагає. За допомогою осцилографа, підключеного до емітером транзистора VT4, перевіряють наявність прямокутних імпульсів частотою 20 … 80 кГц. Якщо частота проходження імпульсів вище 80 кГц (при дуже високій частоті починає розігріватися транзистор VT4), слід збільшити число витків дроселя L1.