У пристроях на цифрових мікросхемах і мікропроцесорах з автономним живленням батареї гальванічних елементів повинні забезпечити стабілізовану напругу 5 В. Досягти цього найпростішим способом – використанням шести елементів по 1,5 В і інтегрального стабілізатора КР142ЕН5А – невигідно як енергетично, так і економічно. Пропонований нескладний стабілізований перетворювач дозволяє отримати напруга 5 В при струмі навантаження до 120 мА. Його вхідна напруга може знаходитися в межах 2 … 3,5 В (два гальванічних елементи). ККД при вхідній напрузі 3 В і максимальному струмі навантаження – приблизно 75%. Схема перетворювача показана на рис. 4.2.

   

На транзисторі VT2 зібраний блокінг-генератор. Обмотка 1 трансформатора Т1 виконує також функцію накопичувального дроселя, а з обмотки II на базу транзистора VT2 надходить сигнал позитивної зворотного зв'язку. Імпульси, що виникають на колекторі цього транзистора, через діод VD1 заряджають конденсатори С4, С5, напруга на яких і є вихідним. Воно залежить від частоти повторення і шпаруватості імпульсів блокінг-генератора, які, в свою чергу, залежать від колекторного струму транзистора VT1, перезаряджати конденсатор СЗ в інтервалах між імпульсами.

Після того, як на блокінг-генератор подана напруга живлення, і в міру зарядки конденсатора С2 через резистор R1, збільшуються колекторний струм транзистора VT1, частота генеруються імпульсів і. вихідна напруга перетворювача. Але як тільки останнє перевищить суму напружень стабілізації стабілітрона VD2 і відкривання транзистора VT3, частина струму, що протікає через резистор R1 і базу транзистора VT1, відгалузилися в колекторний ланцюг відкрився транзистора VT3. Це призведе до зменшення частоти імпульсів. Таким чином, вихідна напруга буде стабілізовано.

Підлаштування резистор R3 дозволяє встановити його рівним 5 В. Транзистор VT2 – КТ819 з будь-яким буквеним індексом, КТ805А або КТ817 також з будь-яким індексом. В останньому випадку вихідна потужність перетворювача буде трохи менше. ККД пристрою підвищиться, якщо в якості VD1 застосувати германієвого діод Д310. Трансформатор Т1 виготовлений з дроселя ДПМ-1, 0 індуктивністю 51 мкГн. Наявна на ньому обмотка використана в якості первинної. Поверх неї намотана обмотка обрат

ної зв'язку (II) з 14 витків дроту діаметром 0,31 мм в емалевою ізоляції. Конденсатор СЗ повинен бути металлопленочні серій К71, К78. Керамічний конденсатор тут небажаний через низької температурної стабільності. До типів решти деталей пристрій некритично. Перетворювач змонтований на платі з двостороннього фольгованого склотекстоліти. Фольга на одній зі сторін плати залишена недоторканою і служить загальним проводом.