Транзистори – Напівпровідникові прилади, призначені для підсилення, генерування і перетворення електричних коливань. Найбільш поширені так звані біполярні транзистори. Їх основа – платівка монокристалічного напівпровідника (найчастіше кремнію або германію), в якій за допомогою особливих технологічних прийомів створені, як мінімум, три області з різною електропровідністю: емітер, база і колектор. Електропровідність емітера і колектора завжди однакова (р або п), бази – протилежна (п або р). Іншими словами, біполярний транзистор (далі просто транзистор) містить два р-п переходу: один з них з'єднує базу з емітером (емітерний перехід), інший – з колектором (колекторний перехід).

На схемах транзистори позначають, як показано на рис. 129, а. Тут коротка риска з лінією-висновком від середини символізує базу, дві похилі лінії, проведені до неї під кутом 60 °, – емітер і колектор. Про електропровідності бази судять по символу емітера: якщо його стрілка направлена ??до бази (рис. '129, а), то це означає, емітер має електропровідність типу р, а база – типу п; якщо ж стрілка спрямована в протилежний бік (рис. 129,6), електропровідність емітера і бази – зворотна (відповідно бенкет). Оскільки, як уже зазначалося, електропровідність колектора та ж, що і емітера, стрілку на символі колектора не зображують.

 

 

 

 

Рис. 129

Знати електропровідність емітера, бази та колектора необхідно для того, щоб правильно підключити транзистор до джерела живлення. У довідниках цю інформацію приводять у вигляді структурної формули. Транзистор, база якого має провідність типу п, позначають формулою р-п-р, а транзистор з базою, що має електропровідність типу р, – формулою п-р-п. У першому випадку на базу і колектор слід подавати негативне (по відношенню до емітера) напруга, у другому – позитивне.

Для наочності умовне позначення транзистора зазвичай поміщають в гурток, що символізує його корпус. Корпус нерідко виготовляють з металу і з'єднують з одним з висновків транзистора. На схемах це показують точкою в місці перетину позбав-виводу з символом корпусу (у транзистора, зображеного на рис. 129, в, з корпусом з'єднаний висновок колектора). Якщо ж корпус забезпечений окремим висновком, лінію-вивід допускається приєднувати до гуртка без точки (рис. 129, г). З метою підвищення інформативності схем поруч з позиційним позначенням транзистора зазвичай вказують його тип.

Лінії-висновки, що йдуть від символів емітера і колектора, проводять в одному з двох напрямків: перпендикулярно або паралельно лінії-висновку бази (рис. 129, д). Злам цієї лінії допускається лише на деякому відстані від символу корпусу (рис. 129, е).

Транзистор може мати кілька емітерний областей (емітерів). У цьому випадку символи емітерів зазвичай зображують з одного боку символу бази, а гурток-корпус замінюють овалом (мал. 129, ж).

У деяких випадках ГОСТ 2.730-73 допускає зображати транзистори і без символу корпусу, наприклад при зображенні бескорпуоних транзисторів ІЛ | Ц коли на схемі необхідно показати транзистори, що входять в так звані транзисторні складання або матриці (їх випускають в тих же корпусах, що і інтегральні мікросхеми). Оскільки буквений код VT передбачений для позначення транзисторів, виконаних у вигляді самостійних приладів, транзистори збірок позначають одним із таких способів: або використовують код VT і присвоюють їм порядкові номери поряд з іншими транзисторами (в цьому випадку на полі схеми поміщають таку, наприклад, запис: VT1-VT4 К1НТ251), або беруть код аналогових мікросхем DA і вказують належність транзисторів до матриці в позиційному позначенні (рис. 130, а).

 

 

Рис. 130

 

 

Рис. 131

У висновків таких транзисторів, як правило, призводять умовні номери, присвоєні виводів корпусу, в якому виконана складання.

Без символу корпусу зображують на схемах і транзистори аналогових і цифрових мікросхем (для прикладу на рис. 130,6 показані транзистори структури п-pn з трьома і чотирма емітерами).

Умовні графічні позначення деяких різновидів біполярних транзисторів отримують введенням в основний символ спеціальних знаків. Так, щоб зобразити лавинний транзистор, між символами емітера і колектора поміщають знак ефекту лавинного пробою (рис. 131, а). При повороті умовного позначення положення цього знака має залишатися незмінним.

Інакше побудовано позначення так званого одноперехідного транзистора. У нього один р-п перехід, але два виведення бази. Символ емітера в позначенні цього транзистора проводять до середини символу бази (Рис. 131,6). Про електропровідності бази судять по символу емітера (все сказане раніше про транзистори з двома р-п переходами повністю застосовно і до однрпереход-ному транзистору).

На позначення одноперехідного транзистора схоже умовне позначення досить великої групи транзисторів з р-п переходом, що одержали назву польових. Основа такого транзистора – створений в напівпровіднику і забезпечений двома висновками (витік і стік) канал з електропровідністю п-або р-типу. Опором каналу управляє третій електрод – затвор, з'єднаний з його середньою частиною р-п переходом. Канал польового транзистора зображують так само, як і базу біполярного транзистора, але поміщають в середній частині гуртка-корпусу, символи витоку і стоку приєднують до нього з одного боку, затвора – з іншого. Щоб не вводити будь-яких знаків для розрізнення символів витоку і стоку, затвор зображують на продовженні лінії витоку. Електропровідність каналу вказують стрілкою на символі затвора.

 

Рис. 133

 

 

Рис. 135

В умовному позначенні польового транзистора з ізольованим затворам (його зображують у вигляді рисочки, паралельної символу каналу, з виведенням на продовженні лінії витоку) електропровідність каналу показують стрілкою, вміщеній між символами витоку і стоку: якщо вона спрямована до символу каналу, то це означає, що зображений транзистор з каналом п-типу, а якщо в протилежну сторону, – з каналом р-типу (рис. 133, а, б). Аналогічно вказують тип електропровідності каналу та при наявності висновку від кристала-підкладки (рис. 133, в), а також при зображенні польового транзистора з так званим індукованим каналом, символ якого – три короткі штриха (рис. 133, г, д). Якщо підкладка з'єднана з одним з електродів (зазвичай з витоком), це з'єднання показують усередині символу без точки (рис. 133, е).

В палевому транзисторі може бути кілька затворів. Зображують їх у цьому випадку короткими рисками, причому лінію-виведення першого затвора обов'язково поміщають на продовженні лінії витоку (мал. 133, ж).

Лінії-висновки польового транзистора допускається згинати лише на деякій відстані від символу корпусу (рис. 133, з), який може бути з'єднаний з одним з електродів або мати власний висновок (Рис. 133, и).

З транзисторів, керованих зовнішніми факторами, в даний час знаходять застосування фототранзистори. Як приклад на рис. 134 показані умовні позначення фототранзжггоров з виведенням бази і без нього.

Поряд з іншими напівпровідниковими приладами, дія яких заснована на фотоелектричні ефекті, фототранзистори можуть входити до складу оптронів. Позначення фототранзистора в цьому випадку разом з символом випромінювача світла (звичайно світлодіода) укладають в об'єднує їх символ корпусу, а знак фотоефекту замінюють знаком оптичного зв'язку – двома паралельними стрілками. Для прикладу на рис. 135, а зображена одна з опто-

пар здвоєного Оптрон К249КП1, про що говорить позиційне позначення U1.1. Аналогічно будують умовне графічне позначення Оптрон з складовим транзистором (рис. 135,6).

 

Література:
В.В. Фролов, Мова радіосхем, Москва, 1998