Функціональне призначення

Інтегральна мікросхема типу КР1156ЕУ5 призначена для управління сигналами в процесі перетворення енергії в джерелах живлення. Вона виконує функцію перетворення постійної напруги в постійне (DC-DC конвертер).

Ця мікросхема була спеціально розроблена для створення імпульсних перетворювачів напруги з мінімальним числом зовнішніх компонентів.

На основі мікросхеми КР1156ЕУ5 можна спроектувати понижувальні, підвищують або інвертують силові перетворювачі напруги.

Мікросхема КР1156ЕУ5 виконана в пластмасовому корпусі типу DIP-8 і має 8 висновків. Відстань між ними (крок) становить 2,5 мм.

Розташування та призначення висновків інтегральної мікросхеми КР1156ЕУ5 (а також її імпортного аналога МС3406ЕА) показано на рис. 1.1.

Рис. 1.1. Розташування та призначення висновків інтегральної мікросхеми КР1156ЕУ5

Структурна схема

Для імпульсного перетворення постійної напруги в постійне потрібно набір певних функціональних вузлів. Як видно з рис. 1.2, мікросхема КР1156ЕУ5 має в своєму складі потужний електронний ключ на складеному транзисторі (VT1 і VT2), який з’єднаний зі схемою управління (2). На неї надходять імпульси синхронізації від генератора (1), шпаруватість яких залежить від сигналу схеми обмеження по току. Також на схему управління подається сигнал зворотного зв’язку з компаратора (3). Він виробляє порівняння напруги зворотного зв’язку з напругою внутрішнього джерела опорного напруги (4). Стабільність параметрів вихідної напруги мікросхеми повністю забезпечує джерело опорного напруги (ІОН), тому що його напруга не залежить від змін температури навколишнього середовища та коливань вхідного напруги.

Рис. 1.3. Умовне графічне позначення мікросхеми КР1156ЕУ5

Умовне графічне позначення мікросхеми КР1156ЕУ5 наведено на рис. 1.3.

Рис. 1.2. Структурна схема мікросхеми КР1156ЕУ5

Електричні параметри

Нормовані електричні параметри мікросхеми типу КР1156ЕУ5 наведені в табл. 1.1. Вони встановлюються для кожного функціонального вузла (генератора, компаратора, вихідних транзисторів, схеми обмеження струму і ІОН) при певному режимі вимірювання. Як правило, ці значення даються для нормальної температури навколишнього середовища (+25 ° С).

Особливість комутуючого (ключового) елемента мікросхеми полягає в тому, що він утворений двома біполярними транзисторами. Вони можуть бути включені за схемою складеного транзистора із загальним емітером (схема Дарлінгтона). Необхідний базовий струм вихідного транзистора VT1 забезпечується за допомогою узгоджувального (передвихідного) транзистора VT2. Сумарний коефіцієнт передачі струму в цьому випадку може досягати 10 ТОВ і більше. Тому навіть при максимальному робочому струмі через вихідний транзистор (комутуючих елемент) схема управління навантажується незначно.

В емітері согласующего транзистора включений резистор величиною 100 Ом, тому для перекладу вихідного транзистора в провідний стан потрібно струм величиною приблизно 7 мА.

Якщо вихідний транзистор знаходиться в стані глибокого насичення, тобто його ток колектора малий (<300 мА), а струм колектора согласующего транзистора> 30 мА, то для виходу з насичення може знадобитися час до 2 мкс.

Цього не відбувається в складеному транзисторі (схемі Дарлінгтона), т. к. вихідний транзистор при цьому не насичується. При роздільному включенні колекторів транзисторів рекомендується виконувати наступне умова:

Граничні значення параметрів мікросхеми КР1156ЕУ5 наведені в табл. 1.2. При експлуатації особливу увагу

Позначення

Найменування

Режим

Значення параметра

Одиниця

 

параметра

параметра

виміру

не менше

типове

не більше

виміру

 

Загальні параметри

 

Осс)

Струм споживання

іп (Vcc) = 5-40 В, Ст = 10 нФ

4

МА

 

UnO/cc>VDD)

Діапазон живлять напруг

3

40

В

 

Діапазон робочих температур

-10

25

70

° С

 

Генератор

 

про

Z

про

Ставлення часів заряду / розряду

Un (Vcc) = 5 В, ТосА) = 25 ° С

6:1

мкс / мкс

 

h Ochg)

Струм заряду

Un (Vcc) = 5 … 40 В, ТосА) = 25 ° С

10

25

42

мкА

 

Ip (^dischg)

Ток розряду

100

150

200

мкА |

 

Компаратор

 

UCM (V,0)

Напруга зсуву

Un (Vcc) = 5 … 40 В

1,4

5,0

мВ

 

l | 0 (* вх)

Вхідний струм

V,N = 0

0,4

1

мкА

 

Позначення

Найменування

Режим

Значення параметра

Одиниця I

параметра

параметра

виміру

не менше

типове

не більше

вимірювання>

Вихідні транзистори

I ^1 SAT

Напруга насичення (VT1)

lK (1з) = 1 А

0,45

0,7

В

U2sat

Напруга насичення (VT1 + VT2)

1До(1З) = 1А

1

1,3

В

Коефіцієнт передачі струму

1к (1с) = 1А, UK3 (VCE) = 5 В, ТосА) = 25 ° С

35

120

Струм витоку

іДое. (VCE) = 40 В, ТосА) = 25 ° С

0,01

100

мкА

____ i

Схема обмеження струму

Напруга спрацьовування

Т0з Од) = 25 ° С

250

300

350

мВ

Джерело опорної напруги

Won (Vref)

Опорна напруга

ТосА) = +25 ° С

1,225

1,25

1,275

В

-10 ° С <

Сподобалася стаття? Натисни "+1"! :

Ваш відгук