Осадчук В. С., Осадчук О. В. Вінницький національний технічний університет Хмельницьке шосе, 95, Вінниця -21021, Україна Тел.: (0432) 44-04-81; e-mail: osa@lili.vstu.vinnica.ua

автогенератора.

Fig. 2. Non-linear equivalent circuit of active generator

Рис. 3. Перетворення нелінійна еквівалентна схема автогенератора по змінному струму.

Fig. 3. Transformed no-linear equivalent circuit of active generator

III. Висновки

Запропоновано гібридна схема надвисокочастотного автогенератора на основі транзисторних структур типу НЕМТ, дослідження якої показали можливість як оптичної, так і електричного регулювання частоти генерації, при цьому оптична перебудова частоти генерації складає 9,88%, а електрична – 3,7%.

IV. Список літератури

[1] Гаврилов О. Т., Квяткевіч І. І,, Матвєєв Ю. А. Перспективи використання багатошарових гетероструктур AlAs / GaAs в електроніці НВЧ. 8-а Міжнародна Кримська конференція «СВЧ-техніка і телекомунікаційні технології », 1998. T.1. – С.81-84.

[2] К. Yhland, N. Rorsman, М. Garcia, and Н. Merkel, «А Symmetrical HFET / MESFET Model Suitable for Intermodulation analysis of Amplifiers and Resistive FET Mixers,» IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. 48, p. 15 (Jan., 2000).

Система рівнянь (1) розраховується в обчислювальному середовищі «Matlab 6.5» на персональному комп’ютері. Параметри еквівалентної схеми автогенератора, необхідні для розрахунку, взяті з роботи [2].

Рис, 4, Залежності частоти генерації від потужності оптичного випромінювання.

Fig. 4. Oscillation frequency against optical power

На рис.4 представлені залежності частоти генерації від потужності оптичного випромінювання.

Рис, 5, Залежність частоти генерації від зміни напруги живлення.

Fig. 5. Oscillation frequency against supply voltage change

Як видно з графіків, зміна потужності оптичного випромінювання на 100 мкВт / см2 призводить до зміни частоти генерації на 200 МГц при напрузі живлення 1,6 В.

OPTICALLY CONTROLLED ACTIVE GENERATOR FOR SUPERHIGH FREQUENCIES

Osadchuk V. S., OsadchukA. V.

Vinnitsa national technical university Khmelnitskiy highway, 95, Vinnitsa – 21021, Ukraine Ph.: (0432) 44-04-81; e-mail: osa@lili.vstu.vinnica.ua

Abstract – investigations of SHF active generator are presented on the basis of transistor structures of HEMT type, which have shown the possibility of both optical, and electric control of oscillation frequency.

Presented in this paper are investigations of SHF active oscillator on the basis of HEMT-transistors. In fig. 1 presented is active generator circuit. The circuit R2C1 establishes a padding positive feedback, that magnifies dynamic negative resistance. Effect of optical radiation on p-i-n the photodiode VD1 gives complete resistance on electrodes of transistors VT1 and VT2, that provides the change of oscillation frequency. Resistors R1, R3 and R4 and direct voltage source U1 provide the shift of operating point to the dropping section of voltage-current characteristic of the device.

In order to calculate the dependence of oscillation frequency on the optical power and the value of supply voltage, it is necessary to know the value of capacitance component on the electrodes of drain – source of transistors VT1 and VT2. For these purposes we shall take advantage of a nonlinear equivalent circuit of active generator (fig.2), which is assembled on the basis of nonlinear equivalent circuit HEMT-transistor [2]. Equivalent circuit of active generator (fig.2) is transformed into nonlinear equivalent circuit, which is convenient for calculations (fig-3).

The set of equations (1) settles up in the computing environment «Mathlab 6.5». Parameters of equivalent circuit of active generator are taken from [2].

The investigations have shown possibility of optical, and electric control of oscillation frequency, thus the optical retuning of oscillation frequency makes 9,88 %.

Джерело: Матеріали Міжнародної Кримської конференції «СВЧ-техніка і телекомунікаційні технології»