Випробувач призначений для перевірки працездатності малопотужних біполярних транзисторів і вимірювання їх статичного коефіцієнта передачі струму бази h213. Він дозволяє виявити замикання або обриви в транзисторах, розпізнати їх структуру провідності. Діапазон вимірювання статичного коефіцієнта передачі становить 10 … 690, вимірювання проводиться при фіксованих значеннях напруги між колектором і емітером (4 … 5 В) і струму колектора (2,5 … 3,5 мА).

На відміну від аналогічних пристроїв [1-3] прилад має більш широкий діапазон вимірювання, відсутні моточні вузли і перемикач структури транзистора, що спрощує його виготовлення та експлуатацію. Випробувач може бути використаний для перевірки діодів будь-якої потужності на обрив і замикання висновків, а також для визначення висновків анода і катода.

Структурна схема пристрою приведена на рис. 1. Прямокутні імпульси протівофазно полярності частотою близько 3 ГЦС генератора G1 (точки А і Б) надходять в одну діагональ вимірювального моста, утвореного елементами R1, R2, VD2 і випробовуваним транзистором VT1 [4]. Інша діагональ (точки В і Г) підключена до входу компаратора DA1. Принцип вимірювання статичного коефіцієнта передачі струму бази VT1 ​​заснований на фіксації моменту рівності напруг в точках В і Г при зміні струму бази резистором R1. В цьому випадку струми в ланцюгах колектора і бази VT1 ​​будуть обернено пропорційні величинам опорів резисторів R2 і R1, т. е.

Рис. 2

Мікроамперметр включають спочатку в колекторний ланцюг транзистора, підключеного до гнізд XS1-XS3, і переміщенням движка змінного резистора домагаються перемикання світлодіодів. Визначивши для цього моменту струм колектора транзистора, перемикають мікроамперметр в базову ланцюг і підраховують коефіцієнт передачі даного транзистора (діленням значення колекторного струму на базовий). Далі за допомогою змінного резистора встановлюють базові струми, кратні спочатку вийде, а значить, кратні підрахованому коефіцієнту передачі. На шкалі резистора відзначають отримані значення коефіцієнта передачі. В залежності від типу і примірника мікросхеми, можливо, доведеться зобразити дві шкали резистора для транзисторів структури npn і структури р-п-р.

Журнал «Радіо», 1991, № 4, с.78

Джерело: Вимірювальні пробники. Сост. А. А. Халоян. – М.: ИП РадіоСофт, ЗАТ «Журнал« Радіо », 2003. – 244 с: ил. – (Радіобібліотечка. Вип. 20)