Малошумящий ГІБРИДНИЙ-монолітні ПІДСИЛЮВАЧ НА РНЕМТ транзисторах
Крутов А. В., Ребров А. С. ФГУП НПП «Исток» 141190, Росія, Фрязіно, вул. Вокзальна, 2а Телефон: (095) 465-86-93, факс: (095) 465-86-86, e-mail: cd1255@elnet.msk.ru
Рис. 1. Конструкція підсилювача. Fig. 1. Amplifier topology
Анотація – Представлені результати розробки та практичної реалізації сверхминиатюрном малошумя-ного гібридно-монолітного підсилювача 3-х сантиметрового діапазону на РНЕМТ транзисторах. Розглянуто конструкція і технологія виготовлення, наведені виміряні СВЧ параметри.
I. Вступ
Рис. 2. АЧХ підсилювача.
Fig. 2. Amplifier’s AFC
Сучасний стан справ у галузі виробництва монолітних інтегральних схем на GaAs представлено широким спектром виробів від дециметрового до міліметрового діапазонів. Очевидно, що монолітні схеми мають істотні переваги перед гібридними, з точки зору витрат тільки при дуже великому обсязі виробництва однотипних виробів (більше 107шт. в рік). У той же час існує потреба у використанні досить обмеженої кількості СВЧ виробів володіють малими габаритами і високими СВЧ характеристиками. У даній роботі розглядається проект сверхминиатюрном малошумящего гібрідномонолітного підсилювача, що поєднує в собі розміри і параметри, які можна порівняти з монолітними схемами, і низьку трудомісткість виготовлення. Пропонована конструкція не вимагає великих капіталовкладень для реалізації, оскільки заснована на застосуванні методів звичайної оптичної літографії.
II. Конструкція і технологія виготовлення підсилювача
В якості прототипу підсилювача взята описана в [1] схема монолітного підсилювача з перерахованими ланцюгами узгодження для РНЕМТ транзистора [2].
Результати вимірювань параметрів в смузі 8,5 – 9,5 ГГц наведені в таблиці 1. Для порівняння в правій колонці таблиці наведені довідкові дані монолітного РНЕМТ підсилювача СХА 2063-99F фірми UMS [3].
Таблиця 1.
Table 1.
Конструктивно підсилювач розділений на дві частини: пасивну частину, що включає в себе резистори, конденсатори, індуктивності, межсоединения, заземлюючі отвори, і кристали транзисторів. З’єднання кристалів з пасивною частиною проводиться золотий дротом 020 мкм методом термокомпрессіі. Пасивна частина підсилювача і активні прилади монтуються на золочене металеву підставу за допомогою струмопровідного клею.
Найменування і позначення параметра, одиниця виміру |
Исток |
UMS |
Діапазон робочих частот, Af, ГГц |
9-10 |
9-10 |
Коефіцієнт підсилення, Кр, дБ |
16 |
17 |
Коефіцієнт шуму, Кш, дБ |
1,4 |
1,8 |
Вихідна потужність, Р лин. вих., мВт |
10 |
6 |
КСХН входу і виходу, Ксті, од. |
1,7/1,5 |
2/2 |
Споживана потужність, Р, В * мА |
5*30 |
4*40 |
Габаритні розміри, А * В, мм |
1,5*2 |
1.27*1.5 2 |
Проектування підсилювача було виконано із застосуванням бібліотеки базових елементів, описаної в [1].
Конструкція підсилювача зображена на Рис. 1. Пасивна і активна частина виконана у вигляді фрагментів базового технологічного маршруту [1] при цьому активна частина виготовлена із застосуванням електрон-но-променевої літографії з роздільною здатністю 0,25 мкм, а пасивна із застосуванням оптичної літографії з роздільною здатністю 1 мкм.
III. Експериментальні результати
Вимірювання СВЧ параметрів проводилося на установках Р2-105 і Х5-36 в коаксіальному тракті з мікро-полоськових переходами. Загальний вид амплітудно-частотних характеристик в широкій смузі частот (7 – 12 ГГц) наведено на Рис 2.
Експериментальні результати показують, що розглянутий гібридно-монолітний підсилювач не поступається за своїми характеристиками зарубіжному аналогу при порівнянних габаритних розмірах і споживаної потужності.
IV. Висновок
Запропонована конструкція сверхминиатюрном малошумні підсилювача дозволяє отримати СВЧ параметри, які можна порівняти з параметрами монолітної інтегральної схеми, порівнянні масогабаритні параметри при низьких капіталовкладень у виробництво і може бути використана при обмеженому випуску таких приладів.
V. Список літератури
[1] Крутов А. В., Ребров А. С., Темне А. М. «Проектування монолітних приладів на GaAs з використанням бібліотеки базових елементів». Матеріали конференції [Севастополь, 10-14 сент. 2003р.]. Севастополь: Вебер, 2003, с. 218-220.
[2] Крутов А. В., Ребров А. С. «Експериментальне відновлення еквівалентних схем і шумових параметрів малошумящих польових транзисторів». Матеріали конференції [Севастополь, 13-17 сент. 2004р.]. Севастополь: Вебер, 2004.
[3] http://www.ums.com
LOW NOISE HYBRID-MONOLITHIC AMPLIFIER WITH PHEMT TRANSISTORS
Krutov A. V., Rebrov A. S.
FSUC RPC «Istok»
141190 Russia, Fryazino, Vokzalnaya, 2a.
Tel.: (095) 465-86-93, fax: (095) 465-86-86.
E-mail: cd1255@elnet.msk.ru
Presented in this paper are results of development and
manufacture of X-band super miniature low noise amplifier.
Amplifier design and manufacture technology are considered.
Measured microwave parameters are shown.
Джерело: Матеріали Міжнародної Кримської конференції «СВЧ-техніка і телекомунікаційні технології»
Сподобалася стаття? Натисни "+1"! :
Ще статті:
- УМЗЧ на мікросхемі РАхх (0)
- Широкосмуговий малогучний підсилювач діапазону 20 ... 600 МГц (0)
- УМЗЧ на базі операційного підсилювача КР544УД2 (0)
- Високоякісний попередній підсилювач (0)
- Підсилювач потужності з польовим транзистором як джерело струму для вхідного каскаду і елементами симетрування вихідного каскаду (0)
- Підсилювач потужності, виконаний по мостовій схемі (0)
- Робота ГСС з ВЧ-мостом (0)
Ваш відгук