Баранов І. А., Климова А. В., обрізаний О. І., Пашковський А. Б. ФГУП НПП «Исток» 141190, Росія, Московська обл. м. Фрязіно, Вокзальна 2а Тел.: (095) 4658620, e-mail: eugenegolant@mail.ru

Анотація – Запропоновано проста методика з оцінки зміни коефіцієнта шуму транзистора в робочому режимі під впливом зондувальних імпульсів НВЧ потужності на вході зі зміни коефіцієнта підсилення струму стоку. На підставі вимірів проведені оцінки для групи транзисторів. Продемонстровано, що в деяких випадках коефіцієнт шуму транзистора під впливом імпульсу допустимої вхідної потужності може збільшуватися більш ніж удвічі.

I. Введення

Ускладнення електронної обстановки, в якій повинні функціонувати радіоелектронні прилади обумовлює актуальність вивчення питань стійкості вхідних каскадів приймальних пристроїв до ненавмисним і навмисним перешкод. При впливі імпульсів НВЧ – потужності (Рімп) На вхід польового транзистора критерії відмови можуть встановлюватися на основі різних ефектів короткочасного впливу залежать від рівня Рімпа і характеристик транзистора. В даній роботі розглянуто один з них – зниження чутливості приймача через оборотних зміною коефіцієнта шуму транзистора.

II. Основна частина

Вимірювання з прийнятною точністю коефіцієнта шуму сучасних польових транзисторів (Fmin <1,5 дБ на 15 ГГц) в умовах, коли на вхід транзистора періодично потрапляє імпульс великої потужності, викликає зміна робочого режиму навіть на сучасному вимірювальному обладнанні є досить проблематичним. У даній роботі пропонується проста розрахункова методика, що дозволяє за даними вимірювань догляд струму стоку / (Рімп) і коефіцієнта посилення / < У(РІМп) провести оцінку оборотних змін коефіцієнта шуму РТТ (Рімпа). Для вимірювання характеристик / (Рімпа) і / <