Звягінцев А. А., Стрижаченко А. В., Іванов А. І., Чижов В. В. Харківський національний університет пл. Свободи, 4, Харків – 61077 Тел.: (0572) 45-74-24, 45-73-19, факс: (38) 0572-4370 44 e-mail: Aleksander. V.Strizhachenko@univer.kharkov.ua

Як відомо, діелектричні втрати 8 * впливають тільки на компоненти електричного поля, причому в різних напрямках необхідно враховувати різні втрати. Тому, для Н-коливань п

враховувалися втрати 8 уздовж головного значення тензора діелектричної проникності Sz, А для коливань Е-типу – уздовж головних значень 8 і £.

X у

Виміряні значення добротності на різних типах коливань дозволяють визначити діелектричні втрати у відповідних напрямках. Як видно з графіка (рис. 2), наявність анізотропії призводить до зменшення добротності коливань. Проведений розрахунок дозволяє дати рекомендації щодо площини, в якій необхідно вирізати діелектричні зразки для отримання максимальної добротності резонатора на заданому типі коливання.

III. Висновок

В роботі проведено електродинамічний і чисельний аналіз власної добротності Н-і Е-коливань волноводного розгалуження з анізотропним кристалом в залежності від втрат в стінках хвилеводів, компонент тензора діелектричної проникності та діелектричних втрат уздовж головних напрямів в кристалі. Отримані результати дозволяють проводити вимірювання діелектричних втрат вздовж головних напрямків, а також давати рекомендації, як орієнтувати кристалічний резонатор для отримання оптимальних параметрів резонаторних пристроїв, фільтруючих, антенних і т. д.

IV. Список літератури

[1] Звягінцев А. А., Стрижаченко А. В., Чижов В. В. Резонансні явища в ортогональних хвилеводних розгалуженнях з анізотропним заповненням. / / Вюнік ХДУ, Радюф1з. i елекр., № 427, 1999, С. 126-131.

[2] Звягінцев А., Стрижаченко А., Чижов В. Вимірювання тензора діелектричної проникності, головних напрямів і оптичних осей в одноосьових і двоосні кристалах – 12 Int. Crimean Conference “Microwave & Telecommunication Technology”, 2002, Sevastopol, Ukraine, pp. 544-545.

[3] Стрижаченко A. S., Звягінцев А. А., Чижов В. В. Визначення головних напрямків і оптичних осей в одноосьових і двоосні кристалах. / / Вісник ХНУ. Радіофізика і електроніка, № 544, 2002, С. 112-116.

MEASUREMENTS OF DIELECTRIC LOSSES IN UNIAXIAL AND BIAXIAL CRYSTALS

Zvyagintsev A. A., Strizhachenko A. V.,

Ivanov A. I. ChizhovV. V.

Kharkov National University

4,      Svobody Sq., Kharkov – 61077, Ukraine Tel.: (0572) 45-74-24, 45-73-19, fax: (38) 0572-437044 e-mail: Aleksander. V.Strizhachenko@univer.kharkov.ua

Abstract – The presence of the material dielectric losses exerts an essential effect upon the radio engineering devices operation, the structure of which includes the dielectric samples. Especially this fact exerts under the utilization of the dielectric samples as high Q-factor resonators, filters, dielectric arrays and so on. The correct dielectric losses calculation allows reaching an optimum of the devices characteristics that will be created. Beside the majority of the high quality materials produced by industry are anisotropic crystals.

So, for their certification it is important to know not only integral losses (average volume of whole dielectric material), but the dependence of the dielectric losses upon the detachment of the crystal directions (upon the main directions, for example).

The electrodynamic and numerical Q-factor calculations of H- and E-modes of rectangular waveguide junction, filled by tetragonal uniaxial crystal and rhombic biaxial crystal, have been carried out in this work. The methods of the anisotropic substrate dielectric losses for non-destructive measurements along the main directions of the crystal dielectric permittivity tensor have been created.

The aim of this work is to calculate Q-factor of H110 and E110– modes of wave junction based on rectangular waveguides. During

ЛІД

the calculation of the K2JQ (Fig. 1, 2) the losses in the walls of waveguides were taken into consideration, that form the junction (Rs -surface waveguide walls resistance, Rg -surface waveguide copper walls resistance) and dielectric losses s” (8 = s’ — iz" ) along main directions of crystal.

I.    Conclusions

The electrodynamic and numerical analysis of the H- and E-modes taking into account Q-factor dependence of the waveguide junction filled with an anisotropic crystal, losses in the waveguides walls, dielectric tensor components and dielectric losses along main directions of the crystal, have been carried out. Obtained results allow carrying out measurements of dielectric losses along the main directions and taking recommendations how to cut out the crystal resonator to obtain the optimum parameters of resonator devices, filters, antennas and so on.

Джерело: Матеріали Міжнародної Кримської конференції «СВЧ-техніка і телекомунікаційні технології»