Мартинов Я. Б., Погорєлова Е. В., Бувайлик Е. В. Федеральне державне унітарне підприємство «НВП« Исток »Вокзальна, 2а, г.Фрязіно, Московська область, 141190, Росія Fax: (095) 9749013; e-mail : istkor@elnet.msk.ru


Анотація Вперше показано, що гранична потужність польового транзистора обмежена лавінноінжекціонной нестійкістю, а граничний ККД пробоєм стокового частини БШ (бар’єру Шоттки) затвора.

I. Вступ

Незважаючи на великі зусилля, спрямовані на дослідження роботи ПТШ з БШ в критичних умовах при протіканні через нього великих струмів і при подачі великих напруг, відсутнє ясне розуміння фізики відбуваються при цьому процесів. Розрахунок потужності польових транзисторів з урахуванням особливостей напівпровідникової структури можливий на основі чисельного моделювання. Чисельно вирішувалися рівняння квазігідродінаміческой моделі з допомогою абсолютно стійкою різницевої схеми, що дозволяє знаходити досить точні рішення на просторово-часових сітках. Важливою характеристикою програми є те, що вона може знаходити рішення при змішаних умовах на кордоні, тобто при заданих потенціалах і при заданих повних токах через задані ділянки кордону (електрод) [1].

II. Основна частина

ПТШ має два слабкі місця: це область у стокового краю затвора і в каналі поблизу стоку, причому фізичні механізми, що приводять до руйнувань в першій і другій областях, сильно розрізняються [23]. Для того щоб з’ясувати це питання, було використано просте вираження для вихідної потужності, отримане без врахування впливу зворотних зв’язків і реактивностей вихідний ланцюга транзистора:

V. Висновок

Створена бібліотека базових елементів дозволяє істотно скоротити терміни розробки монолітних і гібридно-монолітних приладів на GaAs. Пасивні базові елементи дозволяють проектувати не тільки монолітні, а й гібрідномонолітние прилади з такими ж топологічними нормами, і застосуванням в їх складі компонентів, технологія виготовлення яких може відрізнятися від GaAs.

VI. Список літератури

[ 1 ] www. ansoft. com/ansoftdesigner

[2]  www.agilent.com/eesof-eda

[3]  www.appwave.com

[4]  Edward L Griffin “INVITED: X-BAND GaAs MMIC SIZE REDUCTION AND INTEGRATION”, 2000 IEEE MTT-S Digest

[5]  www.ums.com

[6] А. В. Крутов, В. А. Мітлін, А. С. Ребров, К. В. Дуди нов. «Стан і можливості проектування і виробництва GaAs приладів НВЧ в ДНВП« Исток »». –

В кн.: 8-а Міжнародна Кримська конференція “СВЧтехніка і телекомунікаційні технології” (КриМіКо’98). Матеріали конференції. [Севастополь,

14 – 17 верес. 1998]. – Севастополь: Вебер, 1998, т. 2, стор 130-135. ISBN 966-572-027-9.

GAAS MMIC DESIGN USING BASIC ELEMENTS LIBRARY

Krutov A. V., Rebrov A. S., Temnov A. M.

‘Istok’ Federal State-Owned Unitary Research

&                         Production Enterprise 2A Vokzalnaya, Fryazino, Moscow Region,

Russia, 141190 phone +7 (95) 4658693, fax +7 (95) 4658686 e-mail: cd1255@elnet.msk.ru

Abstract In this report the issues related to the design of microwave monolithic and hybrid-monolithic integrated circuits using the library of basic elements are considered. The MMIC production technique is shown which provides for the generation of active and passive circuit elements with a electronic microscope dimensional processing at resolutions below

Puc. 8. Підсилювач з регулюванням посилення Fig. 8. Variable gain amplifier

0.            25|jm and with a 1|jm photolithographic processing. The structure of the library of basic elements is shown, which includes metal and mesa-resistors, metal-insulator-metal capacitors, inductors, air bridges, plated holes, and field effect transistors. The topological standards for the base elements are integrated into the production cycle. The design of a monolithic low noise amplifier and a hybrid-monolithic amplifier is shown.

Анотація – Пропонується повністю симетрична модель активного лінійного чотириполюсника, що задається матрицею S-параметрів активного елементу. Модель призначена для опису структур транзисторів і дозволяє визначити на основі виміряних S-параметрів паразитні елементи, внесені в результаті монтажу транзисторів в СВЧ-схему.

I. Вступ

Модель активного лінійного чотириполюсника, що задається матрицею S-параметрів, була спеціально розроблена для системи комп’ютерного моделювання (СКМ) MIC Optimizer [1] з метою спрощення інтерпретації результатів вимірювань Sпараметров СВЧ транзисторів або підсилювачів.

II. Основна частина

Вихідними даними для моделі є таблиця S-параметрів чотириполюсника, що задається в форматі Touchstone (амплітуда і фаза Sпараметров з рівномірним кроком по частоті).

У моделі на кожній частоті аналізу на основі коефіцієнтів комплексної S-матриці визначається комплексна Y-матриця

Джерело: Матеріали Міжнародної Кримської конференції «СВЧ-техніка і телекомунікаційні технології», 2003р.