Кіщинський А. А., Свистов Е. А., Надєждін Б. Б., Баранов В. В., Поляков Г. Б.

ФГУП «ЦНІРТІ» м. Москва, 105066, Нова Басманна, 20 Тел. (095) 263-96-29, e-mail: amplifiers@mail.ru

режиму харчування транзистора, до вольт-амперних характеристик, до режимних залежностям ємностей Cgs, Cdg, до вольт-амперних характеристик прямого струму затвора Ig і струму пробою сток-затвор.

Установка дозволяє вимірювати наступні експериментальні характеристики транзистора:

– S-параметри чіпів ПТШ при всіх режимах харчування, необхідних для моделювання, при токах стоку до 1 А і напрузі стоку до 10 В на частотах ДО 18 ГГЦ;

– Статичні вольт-амперні характеристики прямого струму затвора до 100 мА;

– Імпульсні (тривалість імпульсу 100 не) вольт-амперні характеристики струму стоку при напрузі на стоці до 18 В і струмі стоку до 3 А;

– Вольт-амперні характеристики струму пробою сток-затвор.

Нелінійна еквівалентна схема ПТШ, параметри якої відновлюються в процесі роботи установки, наведена на малюнку 2.

Fig. 6. Experimental vs modeled output power of HFET amplifier at saturation

Практичне застосування установки дозволило отримати і успішно використовувати в розробках моделі ряду вітчизняних і зарубіжних транзисторів, таких, як ЗП612А-5, ЗП976А-5, ЗП976В-5, «Пірат-24», «Пірат-12», TGF4250, LP6872 і ряду інших. Застосування отриманих моделей показало їх достовірність і корисність для проектування НВЧ пристроїв.

IV. Список літератури

1. Кіщинський А. А., Надєждін Б. Б. Свистов Е. А. Комплекс програмних засобів для швидкого отримання нелінійних моделей ПТШ на основі результатів вимірювань Sпараметров та імпульсних вольтамперних характеристик / / Матеріали 8-ї Міжнародної Кримської конференції “НВЧ техніка і телекомунікаційні технології”,

1998 г, стр. 362-365.

2.  А. А. Кіщинський, Б. Б. Надєждін, Е. А. Свистов,

Puc. 6. Розрахункові та експериментальні АЧХ вихідної потужності НFET-підсилювача

Н. В. Шульга. Метод автоматизованого визначення параметрів лінійної моделі СВЧ польового транзистора / / Матеріали 10 Міжнародної Кримської конференції “НВЧ техніка і телекомунікаційні технології”,

2000 р., стор.56-58.

AUTOMATIC PARAMETER EXTRACTOR FOR NONLINEAR MODELS OF MICROWAVE MESFETs


Kishchinskiy A. A., Svistov Ye. A., Nadezhdin В. B., Baranov V. V., Polyakov G. B.

Federal State-Owned Unitary Enterprise ‘Central Research Institute of Radio Engineering’

20 Novaya Basmannaya Str., Moscow, Russia, 105066 phone +7 (95) 2639629; e-mail: amplifiers@mail.ru

Abstract Results of developing an automated measuring bench for measuring and identifying parameters of nonlinear microwave GaAs MESFET models in the form of crystals are presented. Measuring techniques, data processing, equipment setup and features are discussed.


Джерело: Матеріали Міжнародної Кримської конференції «СВЧ-техніка і телекомунікаційні технології», 2003р.