В. В. Радченко ЗАТ «Мітех», 141120, м. Фрязіно, Московської обл., Вул. Вокзальна, 2а тел. (095) 465-86-95, e-mail: optimizer@yandex.ru

де a – коефіцієнт насичення струму стоку, р – коефіцієнт крутизни струму стоку, vg – Ефективний потенціал затвора, 1 – коефіцієнт модуляції довжини каналу затвора, Q – показник ступеня крутості прохідний характеристики, – напруга затвор-витік, vA – Напруга стік-витік.

Коефіцієнт 1 введений для уточнення ходу ВАХ ПТШ в тріодної області при напругах на затворі транзистора, при яких спостерігається зміни ходу третя похідна струму стоку. Вираз в трикутних дужках забезпечує плавне перемикання моделі із звичайного режиму роботи в інверсний режим.

Ефективний потенціал затвора визначається виразом

Тут VTO – Порогове напруга у – коефіцієнт модуляції порогового напруги. VP – Напруга, при якому починається збільшення вихідний провідності, Kw – Коефіцієнт, що визначає швидкість цього зростання.

Частота, ГГц

Рис. 8. S12 900 мкм ПТШ Fig. 8. S12 of 900цт Schottky FET

EXPERIMENTAL DETERMINATION PARAMETER OF ADAPTIVE MODEL OF THE FIELD TRANSISTOR WITH BARRIER SHOTKY

V.                               V. Radchenko "Mitec" Com Ltd, 2a, Vokzainaya St., Fryazino, 141120, Moscow Region, Russia tel. (095) 465-86-95, e-mail: optimizer@yandex.ru

Abstract Considered in this paper are the peculiarities of experimental parameters definition for adaptive model of Schottky FET. This model is applied in MIC Optimizer CAD and provides register of calculated and experimental volt-amps and volt-farad diagrams of the transistor. The model can be used for development of broadband power amplifiers with Schottky FETs.

Джерело: Матеріали Міжнародної Кримської конференції «СВЧ-техніка і телекомунікаційні технології», 2003р.