Створення перших в інституті (і в країні) серійних ЛБХ безперервної дії в короткохвильовій частині сантиметрового діапазону хвиль під керуючи-

ством головного конструктора Пасічник 3. Н.стало початком промислового випуску цих приладів і постачання їх численним споживачам. Широкосмугові ЛБВ надавала побудова апаратури нового покоління і протягом 30 років не втратили своєї актуальності. Освоєння на заводі “Генератор” ПО «Октава» ці ЛБВ до теперішнього часу експлуатуються в країнах СНД і ближнього зарубіжжя. Створено 100-ватні лампи для фазованих антенних решіток, розроблена серія широкосмугових ЛБВ безперервного та імпульсного дії, призначена для використання в радіоелектронній апаратурі різного призначення.

Подальший розвиток електровакуумного напрямку в інституті привело до створення унікальних конструкцій ЛБВ, параметри яких вийшли на рівень вищих світових досягнень. Під керівництвом Перекупка В. А. створені перші вітчизняні ЛБВ імпульсної дії з рівнями вихідної потужності до 2,5 кВт., багатопроменева низьковольтна потужна ЛБВ квазінепереривних дії двох см. діапазону довжин хвиль. Створення наведеного класу приладів вимагало вирішення науково-технічних та конструкторсько-технологічних проблем, пов’язаних з розробкою та виготовленням прецизійних уповільнюють систем (ЗС), що відрізняються ідентичністю фазових і амплітудних характеристик; забезпеченням ефективного відводу тепла від ЗС, забезпечення стійкої роботи широкодіапазонний спіральних ЛБВ і багатосекційних ЛБВ з ЗС типу ланцюжка пов’язаних резонаторів у всіх робочих режимах і умовах експлуатації; розробкою надійних і ефективних вузлів погодження та виведення енергії; розробкою надійних і стабільних в роботі електронно-оптичних систем;

створенням високоефективних багатоступеневих колекторних вузлів.

ЛБВ імпульсної дії мм діапазону хвиль Pulse TWT for the тт-waveband

У 1968 р. Постановою Кабінету Міністрів перед науковими підприємствами галузі була поставлена ​​задача ліквідації відставання (за оцінками деяких фахівців до 20 років) вітчизняного рівня твердотільної СВЧ електроніки. Під керівництвом В. Д. Борисенко в НДІ “Оріон” розвивається новий напрямок по створенню напівпровідникових приладів НВЧ. Колектив ентузіастів нового напряму очолили Риболовля В. В., Ярешко Ю. П. Дуже вдалим виявилося рішення з численних приладів бурхливо розвивається напрямку твердотільної електроніки зосередити основну увагу на двухелектродний генеруючих і керуючих напівпровідникових приладах. Ровесники інституту генератори на ЛПД і діодах Ганна не втрачають актуальності і забезпечували протягом 30 років досить ємний портфель замовлень. Вирішальним фактором у розвитку напівпровідникового напрямку в інституті стало створення спеціалізованих технологічних підрозділів під керівництвом ХоменкоЛ.А., Іванова В. Н., в яких виконувалася розробка та виготовлення напівпровідникових активних і пасивних елементів.

Перші роботи, що заклали основи базових технологій і принципи розробки діодних структур на основі кремнію і арсеніду галію, були виконані під керівництвом Риболовля В. В., Хоменко Л. А., Цвірко Ю. А., Іванова В. М.

Колектив технологів під керівництвом Хоменко Л. А., Рибалка В. В. зуміли на вітчизняних матеріалах і вітчизняної технологічній базі створити перші двопрольотні ЛПД міліметрового діапазону з ККД 11-15%. Створюються перші вітчизняні твердотільні генератори 8-мм діапазону, калібрувальні шумові генератори міліметрового діапазону довжин хвиль. Під керівництвом Ярешко Ю. П., розроблені перші вітчизняні твердотільні керуючі пристрої, які вже в 1972 році відлетіли на космічних станціях “Марс-4”, “Марс-5”, “Марс-6”, “Марс-7”.

Під керівництвом головного конструктора Звершховского І. В. була розроблена і встановлена ​​на ділянці ВЛС “Перово-Балашиха» перша вітчизняна твердотільна приймально-передавальна апаратура 8-ми мм діапазону. Розробка цієї апаратури поклала початок створенню в інституті багатофункціональних (комплексіроваться) модулів на основі розроблюваних в НДІ “Оріон” мікрохвильових елементів і приладів.

У 1971 році інститут з дослідним заводом, входять до складу ПО «Октава». Директором НДІ призначається в 1973р. Фомічов Олексій Павлович, заступником з науки головним інженером інституту Звершховскій І. В., директор дослідного заводу Фещенко В. А.

Розвиток електроніки на початку 70-х років з усією очевидністю показало, що реалізація високих вихідних параметрів пристроїв СВЧ можлива тільки при комплексній розробці. В інституті починаються роботи по створенню комплексу для приемопередающей бортової апаратури. Завершення ряду ОКР по окремих приладів цього комплексу і їх стикування втілилося в побудові першої промислової багатопроменевої, імпульсної, низьковольтної ЛБВ з МПФС, многочастотного малошумящего задає генератора на ДГ з електричним перемиканням частот, електрично перебудовується гетеродина приймача на ДГ. Прискорення розробок комплексіроваться пристроїв в інституті значною мірою було зумовлено потребою, переоснастити діючу РЛС МІГ-25 твердотілим задає генератором.

Розроблений під керівництвом Цвірко Ю.А. багатофункціональний двоканальний модуль генератора, що задає доплеровськой РЛС на діодах Ганна, що працює в 2-х сантиметровому діапазоні з перемиканням фіксованих частот і посиленням потужності в безперервному і імпульсному каналах дозволив підвищити дальність дії РЛС в 3 рази і в кілька

раз поліпшив селекцію сигналів від рухомих об’єктів на тлі землі. Серійний випуск модуля тисячами штук на рік на серійному заводі ПО «Октава» забезпечив комплектацію бортової апаратури літаків різного модифікації, які експлуатуються в даний час в країнах СНД і за кордоном.

У 1977р. директором інституту призначається Звершховскій Ігор Всеволодович, головним інженером Ящишин П. І, директор дослідного заводу Перевертень В. І. Завершується будівництво і вводиться в експлуатацію другу чергу інституту.

В інституті створюється технологічний комплекс з зонами чистих кімнат, які забезпечують виконання процесів: дифузії, металізації, фотолітографії, фінального складання, тестування створення ділянки по вирощуванню понад тонких напівпровідникових багатошарових епітаксійних кремнієвих структур (Приходько В. Л., Іванов В. Н., Болтовец Н. С.), що дозволило проводити в необхідних кількостях кремнієві ЛПД і лавинно-помножувальні діоди безперервного та імпульсного режиму, арсенід галієвих діоди Ганна, PIN-діоди, варикапів, змішувальні діоди. Розробляються унікальні технологічні процеси розробки НВЧ приладів.

Інститут бере активну участь у реалізації програми Міністерства оборони та АН “Фундаментальні і пошукові роботи” у напрямку пошуку нових принципів генерування, проводиться цикл теоретичних робіт з оптимізації профілю легування, динамічним і статичним неоднородностям розподілу зарядів в обсязі діода і на його кордонах, за визначенням геометрії напівпровідникових структур в усьому частотному діапазоні від 30 до 300 ГГц. Колективом технологів організовано виробництво кремнієвих ЛПД і лавинно-умножительних діодів імпульсного і безперервного дії, арсенід галієвих діодів Ганна, pin діодів, змішувальних діодів. Фахівці НДІ зуміли на вітчизняних матеріалах і вітчизняної технологічній базі створити кремнієві однопрогонові і двопрольотні ЛПД міліметрового діапазону хвиль з енергетичними та діапазонними параметрами на рівні кращих зарубіжних зразків.

Автоматизоване проектування і виробництво ефективно використовуються на всіх етапах розробок і виготовлення приладів, забезпечуючи оптимізацію їх характеристик і високу ступінь надійності та повторюваності вихідних параметрів кінцевої продукції.

Джерело: Матеріали Міжнародної Кримської конференції «СВЧ-техніка і телекомунікаційні технології», 2003р.