В. В. Радченко ЗАТ «Мітех», 141120, м. Фрязіно, Московської обл., Вул. Вокзальна, 2а тел. (095) 465-86-95, e-mail: optimizer@yandex.ru

Puc. 7. S22 900 мкм ПТШ Fig. 7. S22 of 900 jum Schottky FET

IV. Список літератури

[1]. Радченко В. В. Аналіз і оптимізація характеристик активних і пасивних мікрополоскових СВЧустройств на персональних ЕОМ / / Електронна техніка. Сер. 1. Електроніка СВЧ, 1995, вип. 2, с. 45-53.

[2]. Кіщинський А. А., Надєждін Б. Б., Свистов Е. А., Шульга Н. В. Метод автоматизованого визначення параметрів лінійної моделі СВЧ польового транзистора – В кн.: 13-а Міжнародна Кримська конференція «СВЧ техніка і телекомунікаційні технології» (КриМіКо’2003). Матеріали конференції [Севастополь, 8-12 вересня 2003 р.]. – Севастополь: Вебер, 2003. ISBN 966-7968-26-Х,

IEEE Cat. Number 03ЕХ697.

MODEL OF ACTIVE LINEAR NETWORKS, DEFINED BY S-PARAMETER MATRIX

V. V. Radchenko "Mitec" Com Ltd.

2a, Vokzalnaya St., Fryazino, 141120,

Moscow Region, Russia tel. (095) 465-86-95, e-mail: optimizer@yandex.ru

Abstract— We offer completely symmetric model of an active linear quadripole, defined by S-matrix of an active element The model is intended for transistor structures description and makes it possible to define parasitic elements, which have been introduced into microwave circuit due to transistors assembling.

The linear model provides the good coincidence of calculated and experimental S-parameters in wide range of frequencies. The model can be used for design of broadband power microwave amplifiers on transistors.

Анотація – Розглянуто особливості експериментального визначення параметрів адаптивної моделі польового транзистора з бар’єром Шоттки, що застосовується в САПР MIC Optimizer і забезпечує точний збіг розрахункових і експериментально виміряних вольтамперних і вольтфарадних характеристик транзистора.

I. Вступ

Адаптивна нелінійна модель польового транзистора з бар’єром Шотки (ПТШ) [1] була розроблена спеціально для системи комп’ютерного моделювання (СКМ) MIC Optimizer [2] з метою забезпечення точного моделювання вольтамперних (ВАХ) і вольтфарадних характеристик (ВФХ) вітчизняних ПТШ.

Модель забезпечує при розрахунках плавне входження ПТШ в відсічення, враховує ефект пробою бар’єрів Шотки при високій напрузі витік-стік витік-затвор, залежність струму насичення від керуючої напруги і деякі інші ефекти. Модель є повністю симетричною (витік і стік в ній можна поміняти місцями) як по еквівалентній схемі, так і з вигляду завдання нелінійних характеристик.

Нелінійна модель ПТШ включає в себе, як складову частину, лінеаризовану модель збільшень (параметри лінійної еквівалентної схеми моделі визначаються для кожної робочої точки в результаті лінеаризації вихідної нелінійної еквівалентної схеми). Температурні ефекти в моделі описуються залежностями основних коефіцієнтів ВАХ і ВФХ від температури з урахуванням індивідуального розігріву напівпровідникової структури відповідно до рівняннями теплової релаксації.

II. Теорія

У адаптивної моделі ПТШ (див. рис. 1) струм стоку визначається сумою ток двох нелінійних керованих джерел струму 1Р і IR , Що працюють одночасно як в прямому, так і в інверсному режимі роботи ПТШ.

Ток 1Р обчислюється за виразом

Джерело: Матеріали Міжнародної Кримської конференції «СВЧ-техніка і телекомунікаційні технології», 2003р.