[9] Антипин В. В., Годовіцин В. А., Гоомов Д. В., Кожевников А. С., Рава А. А. Вплив потужних імпульсних мікрохвильових перешкод на напівпровідникові прилади та інтегральні мікросхеми / / Зарубіжна радіоелектроніка, № 1, 1995, с. 37-53.

[10] Saito, М.; опо, М.; Fujimoto, R.; Tanimoto, Н.; Ito, N.; Yoshitomi, Т.; Ohguro, Т.; Momose, HS; Iwai, H. 0.15 | jm RF CMOS technology compatible with logic CMOS for low-voltage operation / / Electron Devices, IEEE Transactions on , Volume: 45 Issue: 3 , Marth, 1998 Page(s): 737 -742

[11] E. П. Таран, В. В. Старостенко, М. В. Глумова,

А. В. Рукавишников. Динаміка розвитку незворотних деградаційних процесів в провідних мікроструктурах інтегральних мікросхем при впливі імпульсних електромагнітних полів / / Вісник Харківського Національного університету. № 544, Вип.1., 2002.-с. 167-172.

[12] Старостенко В. В., Малишевський С. В., Таран Є. П., Чурюмов Г. І. Поле в ближній зоні мікросхеми при впливі на неї електромагнітної хвилею в хвилеводі / / Листи до журналу технічної фізики (ПЖТФ), 2003, Т. 29, Вип. 1. С.62-68.

INFLUENCE OF BONDING THICKNESS ON STABILITY OF INTEGRATED CIRCUITS AT EFFECT OF ELECTROMAGNETIC FIELDS

V. V. Starostenko, Ye. V. Grygoriev, Ye. P. Taran,

A. V. Rukavishnikov Tavrical National University

4      Yaltinskaya St., Simferopol 95007, Ukraine E-mail: taran(8).tnu. Crimea, ua

Abstract The technique of numerical calculation of stability integrated circuits is adduced depending on thickness (depth) of bonding at effect of pulse electromagnetic fields. The data on influencing depth of inhomogeneous bonding on threshold values of an electric field strength of a dropping electromagnetic wave are obtained.

I.  Introduction

Now in an electronic equipment the super-large-scale integrated circuits will be used, which one have all-level bonding. With allowance for of development of modern technologies the depth of bonding of microcircuits decreases on the order (up to

0,              18-0,13 microns). It results in necessity to investigate stability of integrated circuits at effect of pulse electromagnetic fields for microcircuits with depth of bonding the tenth lobes of micrometers. The purpose of activity is the detection influencing of depth of conductive building blocks on stability of microcircuits with usage of numerical mathematical model of effect of electromagnetic fields on integrated circuits.

II.    Mathematical model of development of degradation processes in conductive building blocks of integrated circuits ofthe sub-micrometers sizes at effect of electromagnetic fields

The model of effect of electromagnetic fields on integrated circuits with conductive building blocks of the sub-micrometers sizes is similar to model with depth of bonding in units of micrometers. The technique of calculation of stability of microcircuits depending on depth of bonding includes: 1. calculations of electromagnetic fields near to microcircuits; 2. definitions of an equivalent discharge circuit with allowance for orientations of microcircuits concerning a dropping electromagnetic wave; 3. solutions of a dynamic electrothermal problem; 4. definitions of time of a beginning of degradation processes and failure of microcircuits.

III.         Relation of stability of microcircuits to depth of bonding at effect of electromagnetic fields

It is ground of an offered technique and designed mathematical model, the relations of threshold values of an electric field strength of a dropping electromagnetic wave to pulse duration for different depth of homogeneous bonding (Fig.1) are obtained. The depth of bonding renders enough strong influencing on threshold values of tension of electromagnetic fields.

The relation of threshold field intensity to depth of bonding is obtained at effect of electromagnetic fields of identical pulse duration (Fig.2). The obtained relation is precisely described by a straight line. The slope of a curve determines decreasing threshold field intensity on the average it is 6,5 kV/m at thinning-down of bonding on 0,1 microns.

IV.  Conclusion

Numerical analysis of the influencing of bonding depth upon stability of microcircuits at effect of electromagnetic fields demonstrates that the considerable decrease of threshold values of field intensity with thinning-down of bonding is observed. Specially significant role it plays for integrated circuits with rather inhomogeneous frame of bonding.

Анотація отримані дані, що дозволяють підвищити ефективність виявлення електронних нелінійних об’єктів, що містять рп-переходи. Можливе застосування синхронного детектування в нелінійному радіолокатора, що дозволяє підвищити ефективність виявлення та ідентифікації нелінійних об’єктів.

I. Вступ

Нелінійна локація знаходить застосування при пошуку прихованих електронних схем. Ефект заснований на збагаченні спектру зондуючого сигналу. Ефективність такого перетворення мала. Необхідно вести прийом слабких сигналів порядку часткою, одиниць мікровольт в складній обстановці електромагнітної сумісності. Підвищення ефективності виявлення нелінійних об’єктів досягається застосуванням синхронного детектування, вибору каналу з малим рівнем перешкод.

II. Основна частина

Робота всіх напівпровідникових приладів, які є елементною базою радіо електроапаратури, обумовлена ​​наявністю рп переходів. Вольтамперная характеристика (ВАХ) рп переходу нелінійна. Тому спектри локаційних зондувальних сигналів, що потрапляють на напівпровідникові елементи, при перевипромінювання збагачуються новими спектральними складовими. Цей процес відбувається незалежно від стану приладу працює він чи ні. Ефективність такого перетворення мала, тому потужність гармонік зондуючого сигналу, перевипромінені в навколишній простір у багато разів менше інтенсивності зондуючого сигналу [1]. Для сигналу другої гармоніки потужність Рг убуває назад пропорційно відстані 1 / г6, З урахуванням прямого проходження, перевипромінювання і зворотного поширення,

Джерело: Матеріали Міжнародної Кримської конференції «СВЧ-техніка і телекомунікаційні технології», 2003р.