У сучасному розумінні транзистор – це напівпровідниковий прилад з двома або більше р-п переходами і трьома або більше виводами, призначений для посилення, генерування та перетворення електричних коливань.

Найбільш широке застосування в радіоаматорських конструкціях знаходять біполярні і польові транзистори. У польових транзисторів керування вихідним струмом проводиться за допомогою електричного поля, звідси і назва, польові. Ці транзистори мають три електроди: витік, затвор і стік. Електроди польового транзистора в певній мірі відповідають електродів біполярного транзистора – Еміт-

теру, базі і колектору. Перевагою польового транзистора є те, що струм вхідного електроду (затвора) дуже малий. Це визначає високий вхідний опір каскадів на цих транзисторах і тим самим усуває вплив наступних каскадів схеми на попередні. Ще одна перевага цих транзисторів – низький рівень власних шумів, що дає можливість використовувати польові транзистори у перших каскадах високоякісних підсилювачів звукової частоти.

   Основна класифікація транзисторів

Основна класифікація транзисторів ведеться по вихідному матеріалу, на основі якого вони зроблені, максимальної допустимої потужності, що розсіюється на колекторі і частотним властивостями. Ці параметри визначають їх основні області застосування. За потужності транзистори ділять на транзистори малої, середньої та великої потужності, а по частоті – низькочастотні, середньочастотні, високочастотні і надвисокочастотні. По вихідному напівпровідниковому матеріалу – германієві і кремнієві.

Основними параметрами біполярних транзисторів є:

– Статичний коефіцієнт посилення по струму а в схемі з загальною базою;

– Статичний коефіцієнт посилення по струму | 3 в схемі з загальним емітером. Параметри аїр пов’язані залежностями виду в = а / (1 – а) або

а = в / (1 + у);

– Зворотний струм колектора ІКО;

– Гранична fгр і гранична fh21 частоти коефіцієнта передачі струму.

Основними параметрами польових транзисторів є:

– Напруга відсічення U0 – прикладена до затвора напругу, при якій перекривається перетин каналу;

– Максимальний струм стоку Іс. макс;

– Напруги: між затвором і стоком Uзс, між стоком і витоком Uсі і між затвором і витоком Uзи;

– Вхідна Свх, прохідна Спр і вихідна Свих ємності.

   Система позначень

Зустрічаються транзистори (біполярні), які мають стару, введену до 1964 р. систему позначень. За старою системою в позначення транзистора входить буква П і цифровий номер. За номером транзистора можна визначити, для яких каскадів радіоелектронної конструкції він розроблений. Якщо перед буквою П стоїть буква М, то це означає, що корпус транзистора холодносварочной конструкції. Розшифровка типів транзисторів за номером наступна:

Низькочастотні (до 5 МГц):

– 1 … 100 – германієві малої потужності, до 0,25 Вт;

– 101 … 201 – кремнієві до 0,25 Вт;

– 201 … 300 – германієві великої потужності, більше 0,25 Вт;

– 301 … 400 – кремнієві більше 0,25 Вт

Високочастотні (понад 5 МГц):

– 401 … 500 – германієві до 0,25 Вт;

– 501 … 600 – кремнієві до 0,25 Вт;

– 601 … 700 – германієві більше 0,25 Вт;

– 701 … 800 – кремнієві більше 0,25 Вт

Наприклад, П416 Б – транзистор германієвий, високочастотний, малої потужності, різновиди Б; МП 39 Б – германієвий транзистор, що має холодносварочний корпус, низькочастотний, малої потужності, різновиди Б.

У новій системі позначень використовується буквено-цифровий шифр, який складається з 5 елементів:

1 елемент системи позначає вихідний матеріал, на основі якого виготовлений транзистор і його зміст не відрізняється від системи позначення діодів, тобто Г або 1 – Германій, До або 2 – кремній, А або 3 – арсенід галію, І або 4 – індій.

2 елемент – буква Т (біполярний) або П (польовий).

3 елемент – цифра, що вказує на функціональні можливості транзистора по допустимої потужності, що розсіюється і частотним властивостями.

Транзистори малої потужності, Рmах <0,3 Вт:

1 – малопотужний низькочастотний, Гф <3 МГц;

2 – малопотужний середньочастотний, 3

3 – малопотужний високочастотний, 30