Сучасний сенсорний перемикач складається з сенсорної пластини, запам’ятовуючого пристрою (тригера, див. словник) і генератора. Тригер, використовуваний в сенсорному пристрої, повинен мати високий вхідний опір (близько I МОм), в іншому випадку між сенсорної пластиною і тригером встановлюють узгоджувальний каскад. Зауважимо, що сенсором можна управляти не тільки шляхом замикання його пластин, але і подачею на них невеликого напруги від спеціального генератора.

Для сенсорних пристроїв можуть бути використані мікросхеми, виконані на польових МОП-транзисторах, серій К172 і К176. При використанні цих мікросхем, їх не використовуються входи потрібно обов’язково підключати до «плюса» чи «мінуса» джерела живлення, узгоджуючи з характером входу і логікою роботи схеми.

   

Рис. 21.6. Принципова схема сенсора на мікросхемі К1ТР721

У цьому випадку немає необхідності в додаткових узгоджувальних каскадах. Схема з використанням мікросхеми К1ТР721 в сенсорному пристрою, який спрацьовує при замиканні пластин, представлена на рис. 21.6. Частина напруги живлення з дільника R1 і R2 через палець подається з сенсорною пластини Е1 на рахунковий вхід З тригера DD1. При кожному дотику до пластин тригер змінює свій стан. Для захисту тригера від паразитних наведень введена ланцюжок R2, С2.

У стаціонарних сенсорних пристроях можуть бути використані шірокораспространенние логічні мікросхеми серій К155 і К133 зокрема K155JIA3. При використанні мікросхеми K155JIA3 в сенсорних пристроях для підвищення її вхідного опору, слід перед нею включати каскад на польовому транзисторі (рис. 21.7). У схемі для чіткого спрацьовування тригера DD2 введений одновібратор (Тригер Шмітта) на мікросхемі DD1.1 і DD1.2.

   

Рис. 21.7. Принципова схема сенсора з попередніми каскадом підсилення на польовому транзисторі

Величина опору під-строечним резистора R4 зазвичай складає 2,6 кОм. Відстань від затвора транзистора VT1 до сенсорної пластини слід зробити мінімальним, у противному випадку для кращої завадостійкості слід включити конденсатор С1 і експериментально підібрати його ємність. З метою зручності в даному пристрої від сенсорної пластини можна взагалі відмовитися, якщо замість неї використовувати корпус транзистора. Для цього обережно знімають з кришки транзистора фарбу, а корпус з’єднують з висновком затвора. Тепер, щоб включити сенсорний пристрій потрібно торкнутися верхньої частини транзистора.

   Практична схема

Практична схема сенсорної двотональний сирени з використанням мікросхеми K155ЛA3 наведена на рис. 21.8. Сирену можна використовувати в якості квартирного дзвінка або звуковий іграшки. Варто лише доторкнутися до сенсора Е1, як в навушнику пролунає зазивають звук з періодично змінюється тональністю. Основним вузлом сирени є «гібридний» мультивібратор (тональний генератор), виконаний на транзисторі ѴТЗ і логічному елементі DD1.4. Сигнал мультивібратора посилюється каскадом на транзисторі VT4.

   

Рис. 21.8. Принципова практична схема сенсорної двотональний сирени

При торканні сенсорного контакту ЕІ запускається одновібратор, що складається з транзистора ѴТ2 і елемента DD1.3, запускається, тобто генерує одиночний імпульс тривалістю 4 … 6 с. Імпульс у вигляді рівня логічної I подається на два генератори з різною тональністю: генератор (ѴТЗ, DD1.4) і генератор (ѴТІ, DDl.l, його частота менше частоти тонального генератора) і дозволяє їх роботу, в результаті з капсуля BF1 чується звук.

   Деталі

Деталі сирени таких типів: резистори – МЛТ-0, 125, конденсатори С2, СЗ – К50-6, решта КЛС або малогабаритні. Транзистори VT1 ​​… VT3 з вказаної серії з будь-якою буквою, ѴТ4 – Типу МП40, МП41 і їм подібні. Капсуль BF1 – ДЕМ-4М або ТА-56М. Всі деталі пристрою змонтовані на друкованій платі розміром 55x45x0, 8 мм (рис. 21.9), яка поміщена в підходящий корпус. У корпусі розміщується капсуль і три гальванічні елементи типу 316.

   

Рис. 21.9. Друкована плата двотональний сирени

Література: В.М. Пестриков. Енциклопедія радіоаматора.