Підсилювач НЧ, схема якого наведена на рис. 1, незважаючи на його простоту, призначений для високоякісного посилення мови та музичних програм. При його розробці враховані рекомендації, забезпечують малі динамічні спотворення сигналу і малий рівень шуму в АС: негативний зворотний зв’язок (ООС) по струму, поліпшуючий симетрію розкачки вихідного каскаду підсилювача. У табл. 1 наведені технічні параметри підсилювача.

Табл. 1. Технічні параметри підсилювача

Вихідна потужність на навантаженні 4 Ом, Вт

   60

Вихідна потужність на навантаженні 8 Ом, Вт

   30

Діапазон відтворюваних частот, Гц

   10…30000

КНІ, не більше,%

   0,1

Номінальна вхідна напруга, мВ

   700

Вхідний опір, кім

   50

Вихідний опір, Ом

   0,04

Відносний рівень шумів, дБ

   -95

Підсилювач напруги зібраний на високовольтному ОУ КР1408УД1 (DA1), предоконечного каскаду – на транзисторах КТ972А (ѴТ1) і КТ973А (ѴТ2), а крайовий підсилювач струму – на транзисторах КТ908А (ѴТЗ, ѴТ4). Для виключення можливості самозбудження довелося відмовитися від застосування в крайовому каскаді складових транзисторів, що складаються з трьох транзисторів (так званих “трійок”). Однак це зажадало підбору вихідних транзисторів ѴТЗ і ѴТ4 по статичному коефіцієнту передачі струму, який в даному випадку повинен бути не менше 25. Струм спокою вихідних транзисторів – 20 … 30 мА, як говорилося вище, стабілізується при зміні температури VD1 … VD4, які мають контакт з Теплоотвод ѴТЗ і ѴТ4. Функції фазоінвертора виконує каскад на транзисторі ѴТ2. Коефіцієнт посилення всього пристрою:

Для усунення спотворень типу “сходинка” на бази ѴТ1 і ѴТ2 подано невелика напруга зсуву, створюване по ланцюжку діодів VD1 … VD4. Ланцюг R9C4 запобігає самозбудження підсилювача на вищих звукових частотах і при відключенні навантаження. Для цієї ж мети встановлені конденсатори С2, СЗ які необхідно розмістити поблизу мікросхеми DA1.

   Джерело живлення

Трансформатор живлення виконаний на двох половинках магнітопро-вода ШЛ32х25 мм. Первинна обмотка містить 2500 витків дроту ПЕВ-2 діаметром 0,27 мм, а вторинна -400 витків дроту ПЕВ-2 діаметром 0,83 мм. Екрануюча обмотка складається з одного шару дроту ПЕВ-2 діаметром 0,27 мм, намотування ведеться виток до витка. Також можна використовувати будь трансформатор з напругою на вторинній обмотці 2×21 В і струмом не менше 3 А.

   Конструкція і деталі

При збірці підсилювача використані постійні резистори МЛТ-0, 125 (R1 … R4) і МЛТ-0, 5 (R6. .. R9), конденсатори КМ-6. Діоди Д220 можна замінити будь-якими високочастотними.

Використовувати інші мікросхеми і транзистори не рекомендується, оскільки це призведе до зміни параметрів УМЗЧ. Кінцеві транзистори ѴТЗ, ѴТ4 встановлені на тепловідведення з охолоджуваної площею 400 см2.

   Правильно зібраний підсилювач з справних деталей в налаштуванні не потребує.

Автор статті – А. Тичинський. Стаття опублікована в РЛ, № 2, 2003 р.