У цій статті представлено пристрій – тестер напівпровідниковихелементів. Прототипом цього пристрою послужила стаття розміщенана одному з німецьких сайтів. Тестер з високою точністю визначаєномери й типи висновків транзистора, тиристора, діода і ін Буде дужекорисний починаючому радіоаматорові.
Типи тестованих елементів(Ім’я елемента – індикація на дисплеї):
– NPN транзистори – на дисплеї “NPN”
– PNP транзистори – на дисплеї “PNP”
– N-канальні-збагачені MOSFET – на дисплеї “NE-MOS”
– P-канальні-збагачені MOSFET – на дисплеї “PE-MOS”
– N-канальні-збіднені MOSFET – на дисплеї “ND-MOS”
– P-канальні-збіднені MOSFET – на дисплеї “PD-MOS”
– N-канальні JFET – на дисплеї “N-JFET”
– P-канальні JFET – на дисплеї “P-JFET”
– Тиристори – на дисплеї “Tyrystor”
– Сімістори – на дисплеї “Triak”
– Діоди – на дисплеї “Diode”
– Двох катодні збірки діодів – на дисплеї “Double diode CK”
– Двох анодні збірки діодів – на дисплеї “Double diode CA”
– Два послідовно з’єднаних діода – на дисплеї “2 diode series”
– Діоди симетричні – на дисплеї “Diode symmetric”
– Резистори – діапазон від 0,5 К до 500К [K]
– Конденсатори – діапазон від 0,2 nF до 1000uF [nF, uF]
При вимірі опору або ємності пристрій не дає високої точності
Опис додаткових параметрів виміру:
– H21e (коефіцієнт посилення по струму) – діапазон до 10000
– (1-2-3) – порядок підключених висновків елемента
– Наявність елементів захисту – діода – “Символ діода”
– Пряме напруга – Uf [mV]
– Напруга відкриття (для MOSFET) – Vt [mV]
– Ємність затвора (для MOSFET) – C = [nF]

Схема пристрою

   Програмування мікроконтролера

Якщо ви використовуйте програму AVRStudio достатньо в налаштуваннях fuse-битов записати 2 конфігураційних біта: lfuse = 0xc1 і hfuse = 0xd9.Якщо Ви використовуйте інші програми налаштуйте fuse-біти у відповідністьз малюнком. В архіві знаходяться прошивка мікроконтролера і прошивкаEEPROM, а також макет друкованої плати.

Fuse-біти mega8

Процесвимірювання досить простий: підключіть тестований елемент до роз’єму(1,2,3) і натисніть кнопку “Тест”. Тестер покаже виміряні свідчення ічерез 10 сек. перейде в режим очікування, це зроблено для економіїзаряду батареї. Батарея використовується напругою 9V типу “Крона”.

Тестування симістора

Тестування діода

Тестування світлодіода

Тестування здвоєного діода

Тестування MOSFET

Тестування транзистора NPN

Тестування транзистора PNP

Автор: Немає даних

Зв’язок з автором: Немає даних

Веб сайт автора: Немає даних

Прислав: Немає даних

Джерело: radioparty.ru

Доп матеріали, файли до пристрою (схемі):

Схема, прошивка, печатка