Автор статті – учень сьомогокласу загальноосвітнього ліцею № 17 м. Северодвінську. Він займається вміському центрі юнацького науково-технічної творчості в гурткурадіоелектроніки, яким керує Віктор Іванович Хохленко. Пропонованіпристрої можуть знайти застосування в системах тривожного сповіщення та охоронноїсигналізації.

Звукові електромеханічні іелектронні сирени широко використовуються для оповіщення в екстрених ситуаціях.На невеликих підприємствах, у школах, особливо в сільській місцевості, можназастосувати пропоновані сирени, зібрані з доступних недорогих деталей. Заоснову були прийняті схеми пристроїв, опис яких дано в книзі Іванова Б.С. “Саморобки юного радіоаматора” (М.: ДОСААФ, 1988, с. 27-31).

Схема сирени на транзисторах показанана рис. 1. Генератор звукової частоти зібраний на транзисторах VT4, VT5 за схемоюнесиметричного мультивібратора. Його навантаженням є динамічна головкаВа1. Частота генерації залежить від ємності конденсатора С4, опоріврезисторів R7, R8, параметрів транзисторів VT4, VT5 і напруги наконденсаторі СЗ. На транзисторах VT1, VT2 по схемі симетричногомультивібратора зібраний генератор Дозвуковий частоти, на транзисторі VT3 -емітерний повто-телеглядачам.

Вихідний сигнал генератора Дозвуковийчастоти з періодом проходження імпульсів кілька секунд через резистор R5 надходитьна базу транзит-стору VT3. Коли транзистор VT2 закритий, на резисторі R4 напругаблизько до нуля, транзистор VT3 відкритий і відбувається зарядка конденсатора СЗ черезрезистор R6. Коли транзистор VT2 відкривається, напруга на резисторі R4 зростаємайже до напруги живлення, що призводить до закривання транзистора VT3 ірозрядці конденсатора СЗ через резистори R7, R8 і базу транзистора VT4.

Оскільки напруга на конденсаторіСЗ періодично плавно змінюється (зростає, зменшується і знову зростає), товідповідно до нього змінюється частота звукового генератора. Так формуєтьсясигнал сирени, тональність якого також плавно змінюється.

На рис. 2 показана схема другогосирени, в якій генератор інфразву-кової частоти побудований на логічніймікросхемі К561ЛЕ5. На елементах DD1.1-DD1.3 зібраний генератор прямокутнихімпульсів, шпаруватість яких (відношення періоду слідування до тривалостіімпульсу) залежить від опору резисторів R2 і R3. Елемент DD1.4 працюєяк інвертор сигналу. Генератор звукової частоти зібраний на транзисторах VT1, VT2за такою ж схемою, як і в першій сирені. Сигнал з виходу елемента DD1.4 управляєчастотою цього генератора. При напрузі високого рівня на виході елемента DD1.4відбувається зарядка конденсатора С2, при низькому рівні – його розрядка.

Більшість деталей першої та другоїсирен, крім динамічної головки, встановлюють на друкованих платах зодносторонньо фольгованого склотекстоліти товщиною 1 … 1,5 мм, кресленняяких показані на рис. 3 і рис. 4 відповідно. Зовнішній вигляд змонтованихпристроїв – на рис. 5 і рис. 6.

Застосовані резистори С2-23, МЯТ,оксидні конденсатори – імпортні, в звуковому генераторі застосований конденсаторК73-9, в генераторі інфранизьких частот другого сирени – К10-17. Транзисториструктури п-р-п можна застосувати будь-які з серій КТ315, КТ3102. Транзистор КТ816Бзамінимо на транзистори серій КТ814, КТ816 з будь-якими буквеними індексами.

Мікросхему К561ЛЕ5 можна замінитина К561ЛА7. Діоди – будь-які кремнієві малопотужні імпульсні або випрямні,наприклад, серій КД102, КД103, КД510, КД521, КД522, Д220. Динами-чна головка- Будь середньо-частотна або широкосмугова з опором котушки не менше8 Ом і потужністю більше 2 Вт Живити пристрої можна від батареї акумуляторівабо гальванічних елементів, а також від мережевих стабілізованих джерелхарчування з вихідним струмом до 0,5 А.

Налагодження не потрібно. Прибажанні тональність сигналу першої сирени можна змінювати підбіркоюконденсатора С4, а другий – СЗ. Швидкістьзміни частоти в першій сирені здійснюють підбіркою конденсатора С1, а в другій – конденсатора С1 або резисторів R2,
R3.

Пристрої працездатні вінтервалі живлячої напруги 4 … 12 В. Однак при цьому, по-перше,зміниться тональність, що може вимагати додаткового налагодження.По-друге, при збільшенні напруги живлення необхідно застосовувати динамічніголовки більшої потужності, а при використанні малопотужних послідовно зними слід включити резистор опором 1 … 5 Ом і потужністюне-скільки ват.

Пристрою можна використовуватияк джерело сигналу для потужного УЗЧ. Для цього динамічну головку замінюютьрезистором опором 10 … 12 Ом. Сигнал знімають з розділовогоконденсатора (С5 – на рис. 1). Для ослаблення сигналу можна застосуватирезистивний дільник. У такому варіанті сирена була застосована спільно з потужнимтрансляційного УЗЧ і використовувалася в ліцеї для подачі сигналу на навчаннях поцивільного кою обороні.