Зниження динамічних спотворень в підсилювачі досягнуто розширенням смуги пропускання вихідного (без загальної ООС) підсилювача, застосуванням лінеарізующіх місцевих ООС і відповідним вибором частот зрізу амплітудно-частотних характеристик каскадів. Висока термостабільність забезпечується місцевими ООС, застосуванням в предоконечного каскаду транзисторів, корпуси яких мають однакові теплові опори, і порівняно великим (близько 250 мА) струмом спокою транзисторів кінцевого каскаду.
Основні параметри Номінальний діапазон частот, Гц 20 … 20 000
Номінальна вихідна потужність (у номінальному діапазоні частот), Вт
нa навантаженні опором 8 Ом при коефіцієнті гармонік 0,5% 20
на навантаженні опором 4 Ом при коефіцієнті гармонік 0,8% 25
Номінальна вхідна напруга на навантаженні опором 8 Ом (при вихідній потужності 20 Вт) 1
Частота зрізу без ООС (при вихідній потужності 1 Вт), кГц 30
Глибина ООС, дБ 20

Відносний рівень шумів і фону, дБ -70

Підсилювач – трехкаскадного. Перший каскад – диференційний на транзисторах VI, V2, підібраних за статичному коефіцієнту передачі струму h21е і напрузі емітер – база. Для отримання достатньо високого вхідного опору, низького рівня шумів та запобігання самопрогрева переходів колекторний струм цих транзисторів вибирають рівним 250 мкА. Сумарний емітерний струм транзисторів стабілізується стабілітронів V13. Місцева ООС в першому каскаді створюється включенням в емітерний ланцюга транзисторів VI, V2 резисторів R2, R3.
Другий каскад зібраний на складеному транзисторі V4V5. Місцева ООС тут здійснюється через резистор R10, що з’єднує колектор транзистора V5 з емітером транзистора V4. Навантаженням каскаду є генератор струму на транзисторах V6, V8, резистор R16 і вхідний опір каскаду на транзисторах V9, V10. Складовою транзистор, генератор струму і резистор R16 утворюють еквівалентний джерело напруги сигналу для вихідного каскаду. Виникаюча при цьому 100%-ва ООС по напрузі виключає нелінійність коефіцієнта передачі струму і підвищує частоту зрізу каскаду.
Вихідний каскад виконаний на транзисторах V9-V12. Для забезпечення високої термостабільності в предоконечного каскаду застосовані транзистори П701А і П303А, корпуси яких мають однакові теплові опори. Великий струм спокою транзисторів V11 і V12 дозволяє зменшити спотворення типу “сходинка” і виключити перехідний процес в головній петлі ООС (R15, R14, R4, С6) через теплового удару при різкому перепаді рівня вихідного сигналу. Термостабілізація струму спокою здійснюється транзистором V7. Діоди V15, V16 його ланцюга зміщення розміщені на тепловідвід одного з транзисторів кінцевого каскаду. АЧХ підсилювача коректується конденсаторами С2 і С8 *.
Від короткого замикання в навантаженні і перевантаження па току підсилювач захищають запобіжники Fl – F3, транзистор V3 і діод V14. Транзистор V3 обмежує струм складеного тран9істора на рівні 55 … 60 мА при перегорянні будь-якого із запобіжників, діод V14 обмежує негативне напруга на базі транзистора V2 на рівні 0,7 В при перегорання запобіжника F1.
Транзистори V5, V8 закріплені на П-подібних тепловідведення, зігнутих із листової міді товщиною 1 мм. Розміри підстави кожного з тепловідводів – 23 X 23 мм, полиць – 10 X 23 мм. Тепловий опір такого тепловідводу-приблизно 35 ╟ С / Вт Тепловідводи транзисторів V11, V12 зігнуті з листової міді товщиною 2 мм.
Кожен з них складається з двох П-подібних частин, склепаних по кутах підстав мідними заклепками. Розміри підстав – 80 X 80 мм, полиць – 25 X 80 мм. Тепловий опір – 3,6 ╟ С / Вт Діоди V15, V16 вклеєні в отвори в теплоотводе транзистора VII.
Котушка L1 намотана дротом ПЕВ-2 – 0,5 виток до витка до заповнення корпусу резистора R25 (МЛТ-2). Відхилення опорів від вказаних на схемі номіналів всіх резисторів, крім R24 і R25, не повинно перевищувати ╠5%.
Першою налагоджують частина підсилювача, що харчуються від джерела напругою ╠ 30 В. Для цього видаляють запобіжники F1 – F3, розривають з’єднання емітера транзистора V5 з базою транзистора V9, а також колектора транзистора V8 з базою транзистора V10. Емітер транзистора V5 тимчасово з’єднують з колектором транзистора V8, а точку з’єднання резисторів R14 і R15-із загальним проводом. Підбором резистора R7 * (в сторону зменшення, починаючи з 100 Ом) домагаються нульового напруги на колекторі транзистора V8. Це напруга не повинна виходити за межі ╠ 1 У як відразу після подачі живлення, так і після десятихвилинної прогріву транзисторів.
Симетричність обмеження сигналу перевіряють з допомогою осцилографа, подавши на вхід підсилювача змінне синусоїдальна напруга 100 мВ Розмах напруги на колекторі транзистора V8 повинен бути не менше ╠ 24 В, а частота зрізу – не нижче 200 кГц. Для перевірки перехідної характеристики перших двох каскадів емітер транзистора V5 підключають до точки з’єднання резисторів RJ4, R15 і подають на вхід прямокутні імпульси амплітудою 0,5 В і частотою 1 кГц. Імпульси на екрані осцилографа повинні мати круті (без викидів) фронт і спад. При необхідності підбирають конденсатор С8 *.
Після цього відновлюють всі з’єднання у відповідності зі схемою, встановлюють на місце запобіжники Fl-F3, замикають накоротко котушку L1, включають між точкою з’єднання резисторів R14, R15 конденсатор ємністю 5 … 10 мкФ, а до виходу підсилювача під’єднують резистор опором 8 Ом з розсіюваною потужністю 25 … 30 Вт Включивши харчування, вимірюють постійну напругу на виході підсилювача (воно не повинно виходити за межі ╠ 100 мВ), рівень фону (допустимий розмах пульсацій частотою 100 Гц-не більше 300 мВ) і амплітуду неспотвореного вихідного сигналу (на навантаженні опором 8 Ом – не менше 20 В). Струм спокою транзисторів V11, V12 (250 мА) встановлюють підбором резистора R18 * (у бік зменшення, починаючи з 5 … 10 кОм). Після цього конденсатор, який з’єднує резистори R14, R15 з загальним проводом, видаляють, і налагодження можна вважати закінченим.