Пропонований стабілізатор напруги блоку живлення пристроїв пам’яті розроблений з урахуванням вимог до джерела живлення комп’ютера, і практично вільний від деяких недоліків, притаманних аналогічним пристроям. Зв’язок виходу блоку з входом – трансформаторна, що виключає можливість підвищення вихідної напруги при виході з ладу ключового транзистора. Високий ККД стабілізатора (більше 75%) спрощує проблему відведення тепла.
Пристрій не містить дефіцитних деталей і не критично до їх параметрів. У зв’язку з тим, що на деякі мікросхеми пам’яті заборонено подавати живлення +5 В без напруги -5 В, в описуваному стабілізаторі передбачена можливість блокування його при пропажі вхідної напруги -5 В.
Стабілізатор дозволяє встановлювати вихідна напруга в межах 2 … 40 В.
Пристрій (рис.1) утворюють мультивібратор на транзисторах VT4 і VT5 з регулятором шпаруватості імпульсів на транзисторі VT2; підсилювач струму на транзисторах VT6 і VT7; вузол вольтодобавки, що складається з обмотки П трансформатора Т1, діода VD2, резистора R14 і конденсатора С3; вихідний вузол, що включає в себе обмотку III трансформатора Т1, випрямляч на діоді VD3, вихідний фільтр L1C4-C6; вузол порівняння на транзисторі VT1, стабілітроні VD1 і резисторах R1-R4.

Основні технічні характеристики стабілізатора

Напруга джерела живлення, В. . . 11 .. 15
Вихідна напруга, В. . . 5
Напруга пульсацій, В, не більше. . . 0,25
Вихідний струм, А. . . 0,5 .. 1,6
ККД,%. . . 75 .. 85
Частота перетворення, кГц. . . 8 .. 40
Стабілізатор може працювати і при струмі навантаження, меншому зазначеного, однак при цьому рівень пульсацій може перевищити 0,25 В. Це відбувається через зменшення частоти перетворення стабілізатора. Зменшити пульсації можна заміною конденсаторів фільтра С4-С6 іншими, з більшою ємністю. До збільшення рівня пульсацій приводить і підвищення напруги живлення стабілізатора.
При подачі живлення на блок і наявності напруги – 5 В транзистори VT1, VT2 і VT3 закриті, тому мультивібратор починає працювати на деякій частоті. Імпульси мультивібратора фіксованою тривалості, посилені по струму транзисторами VT6 і VT7, відкривають ключові транзистори VT8, VT9, і через них починає протікати струм в обмотку I імпульсного трансформатора Т1. Після закривання ключових транзисторів напруга самоіндукції трансформатора, що знімається з обмоток II і III, через діоди VD2 і VD3 заряджає відповідно конденсатори C3 і C4.
У разі підвищення напруги на конденсаторі C6 більше 5 В відкриваються транзистори VT1 ​​і VT2, що приводить до збільшення шпаруватості імпульсів мультивібратора і, отже, зменшенню вихідного напруги блоку.
Обмотка II імпульсного трансформатора сумісно з діодом VD2 і конденсатором C3 утворюють джерело вольтодобавки – постійної напруги 2 … 3 В, яке не дозволяє транзистору VT8 входити в насичення і тим самим збільшує швидкодію ключовий щаблі й ККД пристрою в цілому.
Вузол блокування, вимикає живлення пристрою пам’яті у випадку зникнення напруги -5 В, утворюють транзистор VT3 я резистори R5, R6. При пропажі цієї напруги тут же повністю відкривається транзистор VT3 і малим опором шунтує ланцюг бази транзистора VT4, блокуючи роботу мультивібратора стабілізатора.
Постійні резистори блоку – МЛТ, підлаштування R1 – СП5-16; конденсатори – КМ-5, КМ-6. К50-6. Транзистор VT9 і діод VD3 встановлені на одній загальній мідної тепловідводної пластиці розмірами 135х50х2 мм через слюдяні прокладки.
Імпульсний трансформатор Т1 намотаний на броньовий магнітопроводі Б36 з фериту 2000НМ з паперовою прокладкою товщиною 0,2 мм між чашками. Обмотки I і III виконані джгутом з 10 проводів ПЕВ-2 0,2 ​​і містять відповідно 10 і 6 витків. Обмотка II – 3 витка проводу ПЕВ-2 0,2.
Дросель L1 намотаний на кільці типорозміру К20х10х6 з фериту 2000мм. Обмотка містить 20 витків дроту ПЕВ-2 0,5.

Файл: 76.jpg