Питання про однорідність розподілу домішок по довжині і поперечному перетину вирощуваного монокристала вже обговорювалося в гол 5 і гол 6 З розглянутого матеріалу можна зробити висновок, що існує кілька факторів, що викликають появу неоднорідностей складу в зростаючому кристалі Неоднорідності з причин їх виникнення можна розділити на дві групи: сегрегаційних та технологічні

Сегрегаційні (Або як їх часто називають фундаментальні) повязані з закономірними змінами складу зростаючого кристала, зумовленими основними законами фазових перетворень в багатокомпонентних системах (див гл 5) Ці закономірні неоднорідності охоплюють весь обсяг вирощеного кристала

Технологічні неоднорідності мають незакономірний характер Вони повязані з порушеннями стабільності умов росту кристалів і охоплюють невеликі обсяги кристала (див гл 6) Ясно, що техно

логічні неоднорідності можуть бути усунені удосконаленнями технологічної апаратури для вирощування монокристалів напівпровідників і підбором оптимальних умов зростання Подібні способи вже розглядалися в попередньому розділі У теж час сегрегаційних неоднорідності таким шляхом усунені бути не можуть Для боротьби з ними необхідно розробляти спеціальні методи

Методи вирівнювання сегрегаційних неоднорідностей складу кристала діляться на дві групи: пасивні та активні методи У першому випадку монокристали із заданою однорідністю розподілу домішки отримують без внесення будь-яких змін до кристалізаційний процес, тобто використовуються частини кристала з приблизно рівномірним розподілом домішки Під активними методами маються на увазі такі, які дозволяють активно впливати на хід процесу легування під час росту, тобто по суті, дозволяють програмувати процес зміни складу

Ефективність методу вирівнювання складу оцінюють величиною, званої виходом процесу або виходом придатного матеріалу Виходом прийнято називати відношення частини кількості речовини з необхідними для подальшого використання властивостями до загального його кількості, підданому технологічній обробці У літературі також часто використовується таке поняття, як теоретичний вихід гідного матеріалу Маючи аналітичний вираз для розподілу складу в кристалі, вирощую-яким методом, можна розрахувати значення теоретичного виходу для цього процесу Оскільки теоретичний розрахунок враховує тільки сегрегаційних неоднорідності складу, то значення теоретичного виходу характеризуватиме максимальна межа, вище якої не можна збільшити реальний вихід придатного матеріалу

Джерело: І А Случинський, Основи матеріалознавства і технології напівпровідників, Москва – 2002