До цих пір ми розглядали рівноважні коефіцієнти поділу, що розраховуються з фазових діаграм або одержувані методом, заснованим на вимірі концентрації вільних носіїв в легованих напівпровідниках І в тому, і в іншому методах коефіцієнт поділу визначався в умовах, близьких до рівноважних Ці умови, як правило, виконуються при досить малих швидкостях кристалізації розплаву У цьому випадку концентрація домішки CL, Розчиненої в розплаві, однакова у всьому його обсязі (рис 56,а), А її концентрація в закристалізуватися частини CS = K0CL

У реальних умовах фронт кристалізації рухається зі швидкістю більшою, ніж швидкість дифузії домішок в розплаві Нехай для визначеності K0 < 1. Тоді у міру росту кристалу зі швидкістю V за рахунок того, що тверда фаза містить менше домішки, ніж вихідний розплав, з якого вона утворюється, концентрація домішки в розплаві біля кордону розділу зростає Накопичення надлишку домішки, що виділяється у рухомого фронту кристалізації, призводить до утворення перед ним дифузійного шару δ, з якого домішка шляхом дифузії переходить в обєм розплаву (рис 56,б) Якщо ж рівноважний коефіцієнт поділу домішки K0> 1, то поблизу поверхні зростання відчувається брак домішки У стаціонарному режимі росту кристалу має існувати потік примесного компонента від кордону зростання в глиб розплаву, якщо К0 < 1, або до неї, якщо К0> 1 У цих умовах зміст домішки в закристалізуватися частини кристала CS визначається концентрацією домішки в розплаві у фронту кристалізації CL(0) Так як CL(0), як правило, невідома, то в цих нерівноважних умовах звязок між концентраціями домішки у твердій CS  і рідкої CL  фазах визначається за допомогою ефективного коефіцієнта поділу K:

K = CS/CL,                                        (55)

де CL – Середня концентрація домішки в розплаві

Рис 57 Залежності ефективного коефіцієнта поділу домішок K від наведеної швидкості росту Δ = V δ/D [37]

зміст домішки у фронту кристалізації в порівнянні з її вмістом, одержуваних без перемішування, і зменшує K, Наближаючи його до K0

Джерело: І А Случинський, Основи матеріалознавства і технології напівпровідників, Москва – 2002