Корольов А Н, Климова А В, Красник В А, Ляпін Л В, Малищік В М, Манченко Л В, Пчелін В А, Трегубов В Б ФГУП НПП « Исток »Вокзальна 2а, м Фрязіно, 141190, Росія тел: (495) 4658620, e-mail: solidstate10@mailru

Анотація – Розроблено ряд потужних корпусовані внутрісогласованних транзисторів для діапазонів довжин хвиль 10, 5, 3, 2 см з вихідними потужностями і коефіцієнтами підсилення не менше 10, 10, 5, 5 Вт і 8, 7, 6 і 5 дБ відповідно Транзистори призначені для роботи, як в безперервному, так і імпульсному режимі

I                                       Введення

у вихідних каналах РЛС, системах звязку активних фазованих решітках потрібні СВЧ підсилювачі з великою вихідною потужністю, одним з головних компонентів яких є потужні транзистори В даний час відомий ряд серійно випускаються внутрісогласованних транзисторів з широким спектром діапазонів частот і потужностей фірм «Toshiba», «Fujtsu» [1-2], в яких вмонтовані один або два кристала з великою шириною затвора Нижче увазі читачів будуть представлені результати розробки ряду внутрісогласованних транзисторів високої потужності 10, 5, 3, 2 см (літери 1, 2, 3, 4) діапазону довжин хвиль ФГУП НПП «ІСТОК»

II                              Основна частина

в даний час у ФГУП «НВП» Исток »розроблений новий потужний GaAs транзистор (кристал) складалася з 8 секцій з шириною затвора 1680 мкм кожна розташованих на GaAs підкладці товщиною 25 мкм, на основі якого і були виконані всі розробки Довжина Т – образного затвора транзистора складає близько 0,25 мкм і концентрація донорів в активному шарі ЗЧ-4-10 ^ ^ см ^

Модуль (рис 1-4) являє собою металокерамічний корпус з габаритами, відповідними міжнародному ТИПОРЯД, в який поміщені гибридно-інтегральні суматори і согласующие елементи разом з кристалом потужного транзистора У літері 1 і 2 підсумовуються потужності двох кристалів, в літері 3 і 4 – одного У всіх літерах крім 1-й, для узгодження використана кераміка БСТ з високою діелектричної проникністю (ε = 80), суммирующие схеми виготовлені на Поліком-рових підкладках висотою 0,3 і 0,5 мм У літері

1 узгодження і підсумовування проводиться за допомогою зосереджених елементів (L, R, і С), значно зменшують розміри схем Модулі герметизовані і наповнені азотом

Однією з цілей цієї роботи було створення герметичного корпусу для потужних підсилювальних ВСТ на робочих частотах 3, 6, 9 і 14 ГГц Розсіюється корпусом ПОТУЖНІСТЬ повинна бути не нижче 20 Вт для ВСТ з корисною вихідною потужністю 5 Вт і 40 Вт – для ВСТ з корисною вихідною потужністю 10 Вт Внесені втрати корпусу не перевищують 0,5 дБ (або менше 0,25 дБ на один введення / виведення), а КСХН микрополосковой введення не перевищує величину 1,3

Конструкція корпусу витримує:

– вібраційні навантаження: частотою 1-500 Гц з амплітудою прискорення Зд

– механічний удар: типове ударне прискорення 15д тривалість – 2-20 мс

число ударів – 6000

-Термоциклов: -60 ° С, +150 ° С – 5 циклів

– кліматичні дії: підвищена вологість 98% при +35 ° С на протязі 8 діб

– вплив повторних нагревов до 310 ° С в захисному середовищі, що імітують пайку кристалів і плат в корпус низькотемпературними припоями

У корпусах літери 1 і 2 введені термокомпенсатори зі сплаву МД – 50 товщиною 0,3 мм для кращого узгодження по КТР спаю поликор з основою корпусу Корпус виготовляється пайкою срібним припоєм мідного підстави з мідною рамкою У мідну рамку, що утворить стінки модуля, попередньо упаяно методом спікання металокерамічні СВЧ висновки і вводи, що представляють собою симетричну Полосковим лінію

У результаті були отримані ВСТ з наступними електричними параметрами

Діапазон робочих частот, ГГц

2,7-3,0

5,9-6,4

9,0-9,5

14,1-14,5

Рвих, Вт (не менше)

10

10

5

5

Κν, дБ (не менше)

8

7

6

5

ККД,% (не менше)

25

22

20

18

Uc, В

7+8

7+8

7+8

7+8

1с, А

4,0+4,8

4,0+4,8

2,0+2,4

2,0+2,4

Габарити, мм

24x21x5

24x21x5

21x13x5

21x13x5

Маса, г (не більше)

15

15

8

8

Рис 1 ВСТ 10 см діапазону довжин хвиль Fig 1 10-ст internally matched FET

Рис 2 ВОТ 5 см діапазону довжин хвиль Fig 2 5-ст internally matched FET

Рис 4 ОСЬ 2 см діапазону довжин хвиль

Fig 4 2-ст internally matched FET

Рис 3 ОСЬ 3 см діапазону довжин хвиль Fig 3 3-ст internally matched FET

III                                                          Висновок

Розроблено високоефективні корпусіро-ванні внутрісогласованние транзистори в діапазонах довжин хвиль 10, 5, 3, 2 см, з вихідними потужностями і коефіцієнтами підсилення не менше 10, 10, 5, 5 Вт і 8, 7, 6 і 5 дБ відповідно Транзистори призначені для роботи, як в безперервному, так і імпульсному режимі і можуть широко застосовуватися у вихідних каналах систем звязку, АФАРСЬКА, РЛС і апаратурі спеціального призначення

IV                                                  Список літератури

[1]                        7/M3742-16L wwwfcsitoshibacom

[2]                        FLM 3135-12F wwwfcsifujitsucom

10,                              5, 3, 2 CENTIMETER WAVE LENGTH BAND HIGH POWER TRANSISTORS OF R&ampPC «ISTOK»

Korolev A N, Klimova A V, KrasnikV A, Liapin LV, Malyshchik V М, Manchenko LV, Pchelin VA, TregubovV B

Federal State Unitary Corporation R&ampPC «Istok» Vokzainaya 2a, Fryazino, 141190, Russia Ph: (095) 4658620, e-mail: solidstate10@mailru

Abstract – A series of high output power hermetically sealed, internally matched FETs for 10, 5, 3, 2 cm wave length band with output power higher than 10, 10, 5, 5W, associated gain higher than 8, 7, 6 and 5 dB correspondently has been developed FETs are designed for both continuous and pulse operation

Джерело: Матеріали Міжнародної Кримської конференції «СВЧ-техніка і телекомунікаційні технології», 2006р