Представлені на рис 811 температурні залежності розчинності швидко дифундують домішок можуть обумовлювати ефекти оборотних змін концентрації електрично активних домішок Наприклад, якщо домішка введена дифузією при досить високій температурі, коли її розчинність близька до максимальної, то подальше зниження температури робить відповідний твердий розчин пересиченим У таких умовах, як і будь-яка нерівноважна система, розчин прагне перейти в термодинамічно рівноважний стан, відповідне меншій концентрації електрично активної домішки Надлишок її повинен виділитися в другу фазу, тобто перейти в електрично неактивний стан Подібний ефект в напівпровідниках носить назву «осадження домішок», а параметром, контролюючим його швидкість, є коефіцієнт дифузії відповідної домішки

Як приклад розглянемо процес осадження літію в германии Для літію, що має значний коефіцієнт дифузії в широкому інтервалі температур, процеси осадження в германии досить інтенсивні навіть при кімнатній температурі, тому найбільш досліджені [41] Було зясовано, що зародки другої фази виникають внаслідок попадання іона літію з междоузлия в вакансію VGe, при цьому утворюється комплекс: Li + + e +VGe = LiVGe Таким чином, концентрація зародків повинна визначатися концентрацією Li і концентрацією вакансій в германии Оскільки концентрація вакансій залежить від досконалості кристала – наявності дислокацій і домішок (крім літію), то ці фактори повинні також впливати на швидкість розпаду твер

Рис 812 Зміна концентрації електрично активного літію при 59 ◦ C (після насичення при 450 ◦ C) в зразках Ge з різною щільністю дислокацій ND   (См-2)

дого розчину Дійсно, експерименти показали, що на процеси осадження літію значний вплив робить, крім коефіцієнта дифузії, наявність в кристалах «центрів осадження» – дислокацій і породжуваних ними вакансій На рис 812 показана залежність концентрації донорів від часу після насичення літієм при 425 ◦ C в зразках Ge з різною щільністю дислокацій ND Чітко видно різке збільшення швидкості осадження із зростанням ND і швидке наближення до рівноважної розчинності Ефекти осадження та освіти акцепторних центрів також вельми інтенсивні при температурах T > 500◦C

в Ge, легованому Cu [41]

Джерело: І А Случинський, Основи матеріалознавства і технології напівпровідників, Москва – 2002