Костенко В І, Сорочак А М, Чамор Т Г, Чевнюк Л В Київський національний університет імені Тараса Шевченка вул Володимирська, 64, м Київ, 01033, Україна тел: +38044-526-64-03, E-mail: ctamila@univkievua

Анотація – Експериментально досліджується впливу товщини ферритового шару на параметри ФМР при намагнічуванні уздовж легкої осі в зразках BaFei20i9 Проведено порівняння з теорією магнитостатических коливань для структури плоскопараллельних доменів (ППДС) в епітаксійних плівках і обємних монокристалах гексаферріти барію

I                                       Введення

Зрослий останнім часом інтерес до гексагональним ферритами [1-3], як до класичних високочастотним матеріалами, повязаний з перспективою конструювання на їх основі пристроїв міліметрового діапазону СВЧ У цьому звязку вивчення особливостей поведінки частотно-польових залежностей ФМР в епітаксіальних плівках BaFei20igHa сьогоднішній день є особливо актуальним

II                              Основна частина

у відомих нам роботах по ФМР в магнітоодноосних кристалів з доменними структурами різних типів [4-6] експериментальне дослідження спектральних характеристик ФМР проводилося на обємних кристалах гексаферритов барію для товщин t> 30 мкм Це обмеження повязане з малою інтенсивністю піків поглинання при менших товщинах Проведені нами дослідження магнітних параметрів епітаксійних плівок BaPei20i9, вирощених на підкладках з гексагаллата стронцію (ГГС) [2] показали, що підкладка істотно збільшує інтенсивність поглинання в таких структурах і для товщин ферритового шару t = 1,5-5 мкм зявляється можливість експериментального дослідження параметрів ФМР

У роботі експериментально досліджено частот-но-польові залежності ФМР в області переходу з доменного в насичене стану для декількох товщин епітаксійних плівок і пластинок обємних монокристалів барієвого гексаферріти при нормальному намагнічуванні

Розрахунок резонансних кривих проведений для низькочастотної гілки ω ^ (Η ^, ί) (1) в області Але <