Оцінка теплового режиму транзистора IGBT є відправною точкою для прийняття рішення про розробку додаткового радіатора охолодження У технічній документації всі необхідні дані для такої оцінки є: наведено теплові опору «кристал-корпус», «корпус-радіатор», «кристал-середовище», мається графічно представлена ​​залежність нормованого теплового опору «кристал-корпус» від частоти проходження імпульсів

Рис 2141 Залежність енергії перемикання від величини струму колектора для транзистора IRG4PC40S

і їх шпаруватості (цей графік ми докладно розглянули в частині, присвяченій транзисторам MOSFET)

Джерело: Семенов Б Ю Силова електроніка: професійні рішення – М: СОЛОН-ПРЕСС, 2011 – 416 c: Ил