ДОСЛІДЖЕННЯ обмежувальні ХАРАКТЕРИСТИК НАПІВПРОВІДНИКОВИХ ЗАХИСНИХ ПРИСТРОЇВ Х-діапазону
Крутов А В, Ребров А С ФГУП «НВП« Істок »вул Вокзальна, 2а, м Фрязіно, 141190, Росія тел: (095) 465-86-93, факс: (095) 465-86-86, E-mail:
Анотація – Представлені результати дослідження напівпровідникових захисних пристроїв різного схемотехнического побудови Наведено результати експериментального дослідження виготовлених зразків
I Введення
Зниження коефіцієнта шуму сучасних приймальних пристроїв повязують із застосуванням у вхідних каскадах підсилювачів субмікронних транзисторів на гетерострукгурах З метою реалізації оптимальних шумових і підсилюючих характеристик цим приладам властиві низькі пробивні напруги і мала постійна часу до 1 пс У звязку з цим підвищуються вимоги до параметрів захисних пристроїв з точки зору мінімальних внесених втрат в режимі малого сигналу і максимальною просочується потужності, що надходить на вхід підсилювального каскаду
Метою даної роботи є дослідження обмежувальних характеристик ряду найбільш застосовуваних захисних пристроїв малого рівня потужності, що відрізняються схемотехнічними побудовою, на основі літературних даних і власних роботах авторів
II Двохкаскадний обмежувач на зустрічно-паралельних PIN діодах
в якості базового варіанту була обрана схема двокаскадного захисного пристрою на зустрічно-паралельних PIN діодах фірми TriQuint Semiconductor TGL2201-EPU [1]
Був проведений розрахунок такого пристрою за допомогою пакету програм нелінійного аналізу
Результати розрахунку наведені на Рис1
Рис 1 Розрахункова обмежувальна характеристика захисного пристрою
Fig 1 Simulated limiter characteristic
Пристрій має S-подібну обмежувальну характеристику з піком пропускання на рівні просочується потужності 80 мВт, що добре збігається з даними, наведеними в рекпамних матеріалах
III Обмежувач на PIN діод з подпітуючим детекторним діодом
Рис 2 Принципова схема захисного пристрою
Fig 2 Limiter schematic circuit
В якості PIN діода використовувався GAAS діод з базою 3 мкм і площею електрода 1600 мкм ^, а детекторний діод представляв собою GAAS діод з барєром Шоттки з площею електрода 150 мкм ^
Пристрій реалізований у вигляді гібридної схеми і були виміряні його обмежувальні характеристики Експериментальні характеристики наведені на рис 3
Рис 3 Обмежувальна характеристика захисного пристрою
Fig 3 Limiter characteristic
Пристрій має S-подібну обмежувальну характеристику з піком пропускання на рівні просочується потужності 50 мВт, що добре збігається з розрахунковими даними
IV Двохкаскадний обмежувач на зустрічно-паралельних діодах Шотткі
в якості обєкта досліджень була використана монолітна схема захисного пристрою [2] Фотографія кристала монолітного захисного пристрою розміром 08×10 мм приведена на рис 4
Обмежувальна характеристика має гладку форму у всьому діапазоні впливу вхідної потужності з рівнем просочується потужності 30 мВт
V Обмежувач на діод Шоттки з подпітуючим детекторним діодом
в якості обмежувального діода використовувався GAAS діод Шоттки з площею електрода 400 мкм ^, а детекторний діод представляв собою
GAAS діод з барєром Шоттки з площею електрода 100 мкм
Пристрій реалізований у вигляді гібридної схеми і були виміряні його обмежувальні характеристики Експериментальні характеристики наведені на рис 6
Рис 4 Фотографія кристала захисного пристрою
Fig 4 MMiC iimiter appearance
Fig 5 Liimiter characteristics
Рвх, mW
Рис 5 Обмежувальні характеристики захисного пристрою
Експериментальні характеристики наведені на рис 5
Рвх, mW
Рис 6 Обмежувальні характеристики захисного пристрою
Fig 6 Liimiter characteristics
Обмежувальна характеристика має гладку форму у всьому діапазоні впливу вхідної потужності з рівнем просочується потужності менше 10 мВт
VI Висновок
Аналіз результатів дослідження показує, що залежно від схемотехнічного рішення обмежувачі НВЧ потужності мають різну форму обмежувальної характеристики і величину просочується потужності При проектуванні захисту малошумящих транзисторів необхідно ретельно підходити до вибору схеми і конструкції захисного пристрою Найбільш бажаними на наш погляд є пристрої на діодах Шоттки, що володіють більш високою швидкодією і низьким рівнем просочується потужності
VII Список літератури
[1] wwwtnquintcom
[2] А В Крутов, А С Ребров «Монолітна інтегральна схема захисного пристрою 3-х сантиметрового діапазону» Матеріали конференції [Севастополь, ΙΟΙ 4 верес 2005р] Севастополь: Вебер, 2005, С218-220
THE RESEARCH OF LIMITING CHARACTERISTICS X-BAND SEMICONDUCTOR LIMITERS
Krutov A V, Rebrov A S
FSUE «RPC «istoi<»
Voi<zainaya, 2a, Fryazino, 141190, Russia Ph: (095) 465-86-93, fax: (095) 465-86-86,
E-maii: cdl255@einetmsi<.ru
Abstract – In the present article a research results of x-band semiconductor limiters with using different schematics are presented The experimental characteristics are showed
Джерело: Матеріали Міжнародної Кримської конференції «СВЧ-техніка і телекомунікаційні технології», 2006р
Сподобалася стаття? Натисни "+1"! :
Ще статті:
- Широкосмуговий малогучний підсилювач діапазону 20 ... 600 МГц (0)
- Ультразвукове охоронний пристрій (0)
- Пристрій для контролю систем запалювання (0)
- Сімісторний регулятор потужності (0)
- Пристрій для зарядки автомобільних акумуляторів (0)
- Підсилювач потужності, виконаний по мостовій схемі (0)
- Робота ГСС з ВЧ-мостом (0)
Ваш відгук