«Один у полі не воїн» Так можна символічно охарактеризувати однотранзісторний ключі Природно, в парі з собі подібними вирішувати поставлені завдання набагато легше Запровадження другого транзистора дозволяє знизити вимоги до розкиду і величиною коефіцієнта передачі А21е-двухтранзісторного ключі широко застосовуються для комутації підвищених напруг, а також для пропускання великого струму через навантаження

На Рис 268, a .. y наведені схеми підключення двухтранзісторного ключів на біполярних транзисторах до MK

Рис 268 Схеми підключення двухтранзісторного ключів на біполярних транзисторах (початок):

а) транзистор VT1 служить емітерний повторювачем Він підсилює струм і через обмежувальний резистор R2 подає його в базу транзистора VT2, який безпосередньо управляє навантаженням RH

б) транзистори K77, VT2 включені за схемою Дарлінгтона (інша назва «складовою транзистор») Загальне посилення дорівнює добутку коефіцієнтів передачі Л21Е обох транзисторів Транзистор VT1 зазвичай ставлять малопотужний і більше високочастотний, ніж VT2 Резистор R1 визначає ступінь насичення «пари» Опір резистора R2 вибирається обернено пропорційно току в навантаженні: від декількох сотень ом до десятків килоом

в) схема ДБокстеля Діод Шоттки VD1 прискорює замикання потужного транзистора VT2, підвищуючи в 2 .. 3 рази крутизну фронтів сигналу на частоті 100 кГц Тим самим нівелюється основний недолік схем з транзисторами Дарлінгтона – низька швидкодія

г) аналогічно Рис 268, а, але транзистор VT1 відкривається при перекладі лінії MK в режим входу з Z-станом або входу з внутрішнім «pull-up» резистором У звязку з цим зменшується струмова навантаження на лінію порту, але знижується економічність за рахунок розсіювання додаткової потужності на резистори R1 при низькому рівні на виході MK

д) «само захищений ключ» на силовому транзисторі VT2 і ограничивающем транзисторі VT1 Як тільки струм у навантаженні Лн перевищить певний поріг, наприклад, через аварію або замикання, на резисторі R3 виділяється напругу, достатню для відкривання транзистора VT1 Він шунтирует базовий перехід транзистора VT2, викликаючи обмеження вихідного струму

е) двотактний підсилювач імпульсів на транзисторах різної структури Про

ж) транзистор І72откривается з відносно малою затримкою за часом (R2, VD1, C7), а закривається – з відносно великою затримкою за часом (C7, R3, VT1) \

з) високовольтний ключ, що забезпечує фронти імпульсів 01 МК с при частоті повторення до 1 МГц У початковому стані транзистор VT1 відкритий, а ГТ2закрит На час імпульсу транзистор VT1 відкривається і через нього швидко розряджається ємність навантаження 7н Діод VD1 виключає протікання наскрізних струмів через транзистори VT1, VT2 \

і) складовою емітерний повторювач на транзисторах VT1, ГТ2обладает надвеликим коефіцієнтом посилення по струму Резистор 7 2гарантірованно закриває транзистори при низькому рівні на виході MK

к) транзистор VT1 у відкритому стані блокує транзистор VT2 Резистор R1 служить колекторної навантаженням транзистора VT1 і обмежувачем базового струму для транзистора VT2 \ л) потужний двотактний каскад з буферною логічної мікросхемою 7) 7) 7, яка має виходи з відкритим колектором Сигнали з двох ліній MK повинні бути протівофазного Резистори R5, 7 6огранічіваюттокі в навантаженні, яка підключається до ланцюга 6 вих Про

м) ключ для навантаження Лн, Яка підключається до джерела негативної напруги Транзистор VT1 служить емітерний повторювачем, а транзистор VT2 – підсилювачем із загальною базою Максимальний струм навантаження визначається за формулою /н[МА] = 37 / Л, [кОм] Діод VDJ захищає транзистор VT2 від переполюсовкі харчування

н) ключ на транзисторах різної структури Резистор R1 визначає струм у навантаженні RH, Але підбирати його треба обережно, щоб не перевищити струм бази транзистора VT2 при повністю відкритому транзисторі VT1 Схема критична до коефіцієнтів передачі обох транзисторів

о) аналогічно Рис 268, н, але транзистор VT1 використовується як ключ, а не як змінний опір Струм в навантаженні задається резистором R4 Резистор R5 обмежує початковий пусковий струм транзистора VT2 при великій ємнісної складової навантаження RH Схема не критична до коефіцієнтів передачі транзисторів Якщо як К72іспользуется «Суперб» транзистор KT825, то опір R4 слід збільшити до 51 .. 10 кОм

п) практичний приклад комутації високовольтної напруги 170 В при низькому струмі навантаження при сопртівленія RH не менше 27 кОм

p) аналогічно Рис 268, н, але з активним низьким рівнем на виході MK Про

Про Рис 268 Схеми підключення двухтранзісторного ключів на біполярних транзисторах (закінчення):

с) транзистори VT1 ​​і кТ2работают в протифазі Напруга в навантаження Лн подається через транзистор VT2 і діод VD1, при цьому транзистор VT1 повинен бути закритий ВИСОКИМ рівнем з верхнього виходу MK Щоб зняти напругу з навантаження, транзистор Г72закривается ВИСОКИМ рівнем з нижнього виходу MK, після чого транзистор VT1 відкривається і через діод VD2 прискорено розряджає ємність навантаження Гідність – високу швидкодію, можливість швидкої повторної подачі напруги в навантаження

т) на MK подається «зважене» і відфільтроване харчування в діапазоні 4 .. 45 В Забезпечують це гасящий стабілітрон VD1 і протизавадний конденсатор C1 При високому рівні на виході МК транзистори K77, Г72закрити, при НИЗЬКОМУ – відкриті Максимально допустимий струм стабілітрона VD1 повинен бути таким, щоб він був більше суми струму споживання MK, струму через резистор R1 при низькому рівні на виході MK та струму зовнішніх кіл, якщо вони підключені до MK по інших лініях портів

у) видеоусилитель натранзісторах VT1 і VT2, які включені за схемою Шіклаі (Sziklai) Це різновид схеми Дарлінгтона, але на транзисторах різної провідності Дана «парочка» еквівалентна одному транзистору структури п-р-п з надвисоким коефіцієнтом посилення Л21Е Діоди VD1, КД2защіщаюттранзістори від викидів напруги, проникаючих ззовні по ланцюгу вих-Резистор R1 обмежує струм при випадковому короткому замиканні в кабелі, подстикованном до зовнішньої віддаленої навантаженні 75 Ом

Джерело: Рюмік, С М, 1000 і одна мікроконтролерна схема Вип 2 / С М Рюмік – М: ЛР Додека-ХХ1, 2011 – 400 с: Ил + CD – (Серія «Програмовані системи»)