Бор – єдиний елементарний напівпровідник, розташований лівіше IVA підгрупи в періодичній системі Структура його валентної оболонки – 2s2p1 У більшості зєднань він трехвалентен, тому розподіл електронів по валентним орбиталям в ньому можна представити у вигляді 2s12p2 Однак при утворенні простих sp2-гібридних звязків у борі валентна оболонка атомів бору не заповнюється повністю, проте бор, як напівпровідник, повинен мати повністю заповнену валентну зону Мабуть, заповнення відбувається при участі в гібридизації, крім 2s-Електронів, ще й 1s-Електронів

Рис 218 Ікосаедрічеськая структура бору

У цьому випадку повне число електронів, що беруть участь у формуванні хімічних звязків у елементарного бору, буде дорівнює 5 Цьому припущенню відповідає значно складніша порівняно з іншими елементарними напівпровідниками кристалічна структура бору, основною структурною одиницею якої є ікосаедрічеськая групи B12 (правильні двадцатигранник, в яких кожен атом має пять сусідів, див рис 218) Існує кілька поліморфних модифікацій бору, серед яких напівпровідниковими властивостями володіють тільки ромбоедріческіе модифікації бору (метастабільна α-форма і стабільна β-форма) Елементарна комірка α-B складається з 12 атомів, а осередок β-B – з 105 атомів Бор хімічно інертний і володіє твердістю, близькою до твердості алмазу Це обумовлено утворенням міцних ковалентних звязків (відстань B-B одно 171

A ˚) і

труднощами їх розриву, що визначає і високу температуру кипіння даної речовини

Джерело: І А Случинський, Основи матеріалознавства і технології напівпровідників, Москва – 2002