Друга програма розрахунку теплових характеристик транзисторів типу MOSFET представлена ​​фірмою «International Rectifier» під назвою HEXRISE [62] На відміну від програмного забезпечення фірми «Semikron», інсталяційний файл можна завантажити з сайту і працювати з програмою в автономному режимі, проте для її коректної роботи необхідно, щоб на компютері був встановлений Microsoft Access 2000 Ця програма дозволяє провести динамічний розрахунок зміни температури кристала при різній формі струму, що проходить через його силову ланцюг Тут застосована звичайна процедура лінійної екстраполяції функції струму на елементарних ділянках, для яких обчислюється значення поточного теплового опору (з урахуванням теплової маси) і миттєва теплова потужність Далі обчислюються миттєві значення температури кристала у вигляді температурних збільшень, які підсумовуються на елементарних ділянках У розрахунках також використовується лінійна екстраполяція нормованого значення теплового опору «перехід-корпус» Zthjc Слід врахувати, що адекватні результати роботи програми можна чекати тільки в лінійній області нормованого теплового опору «перехід-корпус», тому перш ніж робити розрахунки, потрібно впоратися з цим графіком, наведеним у технічній документації

Програма дозволяє проводити розрахунки для кількох типових режимів роботи полевихтранзісторов У першому режимі роботи, званому «режимом одиночного імпульсу», період роботи транзистора, що складається з його часу включеного і вимкненого стану, – менше граничного часу лінійній області опору «перехід-корпус», зовнішній тепловідвід відсутня, а максимальна температура кристала складається з початкової температури і температури в кінці періоду роботи Другий режим роботи – «режим повторюваних імпульсів в лінійній області теплового опору» Для нього характерне поступове наростання температури кристала при відсутності зовнішнього тепловідведення Третій режим роботи – «режим повторюваних імпульсів з періодом, що виходять за лінійну областьтеплового опору» Тут максімальнаятемператуpa кристала наростає з кожним періодом, але враховується вплив зовнішнього тепловідведення І, нарешті, четвертий режим роботи – «режим повторюваних імпульсів в сталому тепловому рівновазі» У даному режимі температура кристала не росте від періоду до періоду, тому даний режим добре описує тривалий стаціонарний процес роботи силового ключа Природно, при розрахунку необхідно таким чином задати час аналізу, щоб спостерігати відсутність наростання температури кристала від періоду до періоду

На рис 3333 показано головне вікно програми HEXRISE Зліва є форма для введення параметрів досліджуваного транзистора, пі-

Рис 3334 Розрахункова форма струму

кових струмів силового ланцюга, а також параметрів струму Зверху – кнопки вибору форми струму Розрахунок відбувається при натисканні на кнопку calculate now Результати розрахунку за даних, введених в прикладі, показані на рис 3334 (форма струму), рис 3335 (виділяється потужність) і рис 3336 (температура кристала)

Рис 3336 Розрахункова температура кристала

Джерело: Семенов Б Ю Силова електроніка: професійні рішення – М: СОЛОН-ПРЕСС, 2011 – 416 c: Ил