Представники тайванської лабораторії прикладних досліджень інформували технічну громадськість, що в стінах їх лабораторії були проведені розробки зразків мікросхем памяті RRAM, мають самий маленький у світі розмір осередків памяті За матеріалами публікації перші промислові зразки мікросхем, що йдуть на заміну FLASH-памяті, виготовлені за цією технологією, можуть потрапити на ринок через пять років

Нова память RRAM, складається з комірок, виготовлених на основі мемристора розміром близько 9 нанометрів Мікросхеми памяті з такими осередками поміщають інформації в 20 разів більше, ніж такого ж розміру чіпи FLASH-памяті, де нині зберігаються дані в багатьох мобільних телефонах, відеокамерах і фотоапаратах При цьому, нова RRAM споживає 0005 частину від кількості енергії, споживаної стандартними продуктами на базі FLASH-памяті

Чіп памяті, що має площу один квадратний сантиметр, вміщує 500 ГБ інформації, цей показник в подальшому може бути збільшений до 15 ТБ Цього цілком достатньо для зберігання величезної кількості даних

Нова технологія RRAM зможе через десятиліття потіснити FLASH-память, що дасть можливість електроніку Тайваню, за оцінками економістів, збільшити частку ринку памяті від 1 до10 відсотків