Абрамов І І, Баранов А Л Білоруський державний університет інформатики і радіоелектроніки П Бровки 6, М Мінськ, 220013, Білорусь e-mail: nanodev@bsuireduby

Для теоретичного дослідження одноелектронної приладової структури, зображеної на рис1, була розроблена модифікована фізікотопологіческая модель, яка поширює запропонований підхід [2,4 – 10] на випадок композиційної структури на основі кремнію Модель базується на чисельному рішенні рівняння Пуассона і «основного рівняння» («master equation«) одноелектро-ники [2] для розглянутого випадку (рис1)

На рис2 наведені результати моделювання за запропонованою модифікованої фізико-топо-логічної моделі, а також експериментальні дані роботи [11] Результати експерименту відповідають отриманим для приладової структури на кремнієвій підкладці п-типу (рис За з [11])

Як випливає з рис2, розроблена модифікована на випадок композиційних приладових структур одноелектронікі на основі кремнію модель характеризується прийнятною адекватністю моделювання

Запропонований підхід до побудови фізікотопологіческіх моделей [2,4-10] поширений на випадок композиційних одноелекгронних приладових структур Показано адекватність розробленої модифікованої фізико-топологічної моделі для моделювання одноелектронної структури на основі кремнію, що включає «острівець» з силицида титану та тунельні переходи на різних середовищах

IV                           Список літератури

[Ц Абрамов І І, Новик Е Г / / ФТП, 33 (11), 1388 (1999)

[2] Абрамов І І, Новик Е Г Чисельне моделювання металевих одноелектронних транзисторів Мінськ, Бестпринт, 2000, 164 с

[3] Likharev К К / / Proc IEEE 87, 606 (1999)

[4] Абрамов І І, Новик Е Г І Мікроелектроніка, 29 (3),

197 (2000)

[5] Абрамов І І, Новик Е Г І ФТП, 34 (8), 1014 (2000)

[6] Абрамов І І, Ігнатенко С А, Новик Е Г І ФТП, 36 (10), 1272 (2002)

[7] Абрамов І І, Ігнатенко С А, Новик Е Г І Мікросіс-темна техніка, 5, 18 (2003)

[8] Абрамов І І, Ігнатенко С А, Новик Е Г Н ФТП,

37(5), 583 (2003)

[9] Абрамов І І, Ігнатенко С А І Матеріали 13-й Міжн конф «СВЧ-техніка і телекомунікаційні технології» (КриМіКо2003), 2003, Севастополь, с 530-531

[10] Abramov. /, Ignatenko S А / / Proc SPIE, 2004, v5401, p 432-441

[11 ] Oft J, Meunier V, Ham H, Nemanlch R J // J Appl

Phys, 92(6), 3332 (2002)

SIMULATION OF SINGLE-ELECTRON SILICON-BASED STRUCTURES USING PHYSICAL MODELS

I I Abramov, A L Baranov Belarusian State University of Informatics and Radioeiectronics 6, P Brovki str, Minsk, 220013, Belarus Ph: +375-17-293-8877, e-maii: nanodev@bsuireduby

/Ibsfracf- The approach suggested earlier for metal singleelectron structures simulation using physical models is suitable for composite structures The modified model has been proved to be adequate compared with experimental data

I                                         Introduction

According to classification in [1] and [2] there are five types of single-electron structures: metallic, semiconductor, dielectric, organic and composite In order to simulate the given structures electrical models are proposed [3] However these models have rather poor relation of initial data with the real sizes and materials’ parameters In order to adequately describe electrical characteristics physical model are used

The paper aims to investigate whether it is possible to apply the approach proposed [2, 4-10] for physical models design in the case of the composite single-electron structures with TiSl2 islands

II         Simulation of Single-Electron Composite Structure Based on Silicon

In [11] one ofthe possible perspective technological processes of single-electron silicon-based structures manufacturing has been proposed Single-electron structure (fig1) with two tunnel junctions has been researched The island has been fabricated from TiSl2and had diameter about 5 nm

In fig2 simulation results with modified physical model proposed and experimental data (fig 3a from [11]) are presented

As is shown in fig2, the model modified for the case of composite single-electron silicon-based structures demonstrates good adequacy

III                                       Conclusion

The approach proposed for physical models design [2, 4 – 10] has been proposed for the case of composite single-electron structures Adequacy of the physical model modified for simulation of single-electron silicon-based structure with TiSl2 island and tunnel junctions fabricated from different materials is shown

Джерело: Матеріали Міжнародної Кримської конференції «СВЧ-техніка і телекомунікаційні технології», 2006р