Сундучков і К ВАТ НВП «Сатурн» пр Жовтня, буд 2-6, Київ, Україна тел: 407-64-34

Анотація – У роботі наводяться електрична принципова схема і експериментальні отримані параметри малошумні підсилювача в діапазоні робочих частот 84-100 ГГц

I                                       Введення

в міліметровому діапазоні отримати в підсилювачі прийнятне посилення і малі шуми – сама по собі завдання не з простих, а виконати вимірювання в зазначеному діапазоні тим більше складно Це визначає актуальність даної публікації, т до потреба в таких підсилювачах очевидна

II Результати розробки підсилювача

Малошумящий підсилювач виконаний за планарною технології з співвісними хвилеводно-Полосковим переходами на вході і виході Переходи виконані на Дюроіде товщиною 0,127 мм при товщині металізації 0,017 мм Підкладка упаюється вздовж хвилеводу Всі підводять мікрополоскі позолочені Активні елементи «розварені» золотими тяганиною з діаметром 0,015 мм Самі активні елементи приклеєні токопроводящим клеєм фірми «Хераус»

Втрати пари переходів не більше 2,5 дБ Конструктивні розміри пари переходів наведено на рис 1 Нерівномірність коефіцієнта передачі в діапазоні частот 78-100 ГГц не більше ± 0,2 дБ Підсилювач складається з шести каскадів Схема приведена на рис 2

Рис 1 Конструктивні розміри плати пари хвилеводно-смужкових переходів

Fig 1 Transition design

Рис 2 Схема МШУ Fig 2 LNA circuit

Рис 3 Експерементальні значення параметрів МШУ Ку-коефіцієнт посилення, Та,-еквівалентна

шумова температура входу МШУ

Fig 3 LNA parameters Ку – amplification coefficient Тш – noise coefficient

Живлення кожного каскаду підбиралося індивідуально Було встановлено такі режими по постійному струму Напруга на стоці у всіх транзисторів Uc = +1,5 В Напруги на затворах транзисторів:

U31 = -0,18 В, при 1с = 7 мА

U32 = -0,16 В, при 1с = 6 мА

U33 = -0,21 В, при 1с = 12 мА із4 = -0,19 В, при 1с = 5 мА

U35 = -0,15 В, при 1с = 5 мА хат = -0,16 В, при 1с = 16 мА

Отримані експериментальні значення АЧХ параметрів МШУ наведено на рис 3 Усереднене значення коефіцієнта посилення дорівнює 32 дБ ± 2 дБ, а еквівалентна шумова температура входу МШУ дорівнює 5,5 дБ Через відсутності в зазначеному діапазоні каліброваного дворівневого генератора шумів вимірювання Тш проводилися за допомогою узгодженої навантаження знаходиться при кімнатній температурі і при температурі рідкого азоту При вимірі використовувався змішувач, ГКЧ на діапазон частот 60-67 ГГц і індикатор шуму Х5-42 на діапазон частот 25-33 ГГц

III Висновок

МШУ з еквівалентної шумової температурою близько 600 К розроблявся в зазначеному діапазоні для радіометра Він може бути застосований і в апаратурі звязку зі надшвидкісними каналами

LOW-NOISE AMPLIFIER FOR 84-100 GHz

Sunduchkov I K

Abstract – Presented in this paper are schematic circuit and experimentally received parameters of low-noise amplifier within 84-100 GHz band

I                                      Introduction

It is hard to achieve acceptable amplification and low noises of the amplifier within millimetre waveband The measurements within the above mentioned band is also hard This defines the urgency of the topic

II                                             Body

30 dB amplification was received using six transistor cascades within the range of 84-100 GHz Coaxial strip-line waveguide transitions were applied Two level method with MWF compensation was used for measurements Matched loading with two temperatures was used as a two level noise generator

III                                      Conclusion

LNA with equal temperature 600K has been designed It can be used in communication equipment with high speed channels

Джерело: Матеріали Міжнародної Кримської конференції «СВЧ-техніка і телекомунікаційні технології», 2006р