На рис 813 приведена проста схема термочутливого зарядного пристрою для нікель-кадмієвих акумуляторів, а на рис 814 – зарядні характеристики Термопари сприймають одночасно температуру заряджаються елементів і навколишнього середовища Інтегральна мікросхема A1 забезпечує необхідне

Ріс813

Схема термочутливого зарядного пристрою

Примітка до рис У схемі використовуються термопари типу К (* 40мкВ / ° С) Подстро-ечний потенціометр може бути виключений (див текст) Всі заземлення точки необхідно зєднати безпосередньо з джерелом (Див текст) Опір 250 мкОм (шунтів) виготовлено з дроту діаметром 2,053 мм (калібр # 12) і довжиною 4,57 мм

посилення для сигналу термопар, що має мікровольтний рівень Потенціометр опором 10 кОм підлаштовує необхідний рівень зсуву нуля, забезпечуючи позитивне вихідна напруга, достатня для включення транзистора На рис 815 показаний простий спосіб виготовлення недорогого низкоомного шунта з використанням проводу невеликої довжини або доріжки друкованої плати Опір шунта залежить від типу і довжини використовуваного провідника Міняючи його значення, можна встановити необхідні характеристики заряду У табл 84 представлені залежності опору від довжини проводів різних діаметрів, а також деякі особливості шунтів, виконаних з застосуванням проводу або друкованого провідника Такий шунт повинен мати окремі контакти для вимірювань (за схемою Кельвіна), щоб великі струми не впливали на результат (Див «Linear Technology», Application Note 37, p 4)

Рис 814 Залежність зарядного струму від часу заряду

Рис 815 Схема підключення низкоомного шунта k термочутливі зарядного пристрою

Джерело: Ленк Д, 500 практичних схем на популярних ІС: Пер з англ – М: ДМК Пресс, – 44 с: Ил (Серія «Підручник»)