Найпоширеніша несправність електронних телефонних апаратів – відсутність набору номера, яке може мати місце за різних причин. Ось перелік причин в порядку частоти їх прояву на практиці:

– Несправність ланцюга живлення мікросхеми електронного набору номера (МС ЕНН);

– Внутрішня несправність МС ЕНН;

– Вихід з ладу транзисторів імпульсного (ІК) або розмовного (РК) ключів (підсилювачів струму).

Усунення цих систематично виникаючих несправностей важливо саме по собі, але ще важливіше метод їх усунення, який дозволяв би радіоаматорові швидко визначити несправність телефонного апарату (ТА) і його вузлів і усунути її.

Перш ніж визначати працездатність МС ЕНН, слід перевірити ланцюг її харчування, що містить, як правило, обмежувальний резистор, діод і оксидний конденсатор. Ця типова ланцюг може забезпечувати харчування МС ЕНН як до імпульсного ключа, так і після нього. У першому випадку харчування МС ЕНН при спрацьовуванні ІК ніколи не відключається. У другому випадку харчування МС ЕНН деяких ТА комутується при зміні режиму, що призводить до незначного зниження споживання струму мікросхемою.

Місце з’єднання виходу МС ЕНН і ІК на транзисторах VT1, VT2 (позначення автора) ілюструє Рис. 3.7.

Щоб упевнитися в справності МС ЕНН, треба виміряти напругу на колекторах транзисторів ІК ЕНН. Якщо це напруга менше +5 В, очевидно, пробиті діоди випрямного моста на вході ТА в місці підключення до ТЛ. Якщо напруга в цьому вузлі близько значенню +60 В, а напруга на базі першого транзистора ІК близько нуля, очевидно, транзистори ІК справні, а несправність мається у внутрішній схемою МС ЕНН, на її виході, який «пробитий на масу» і заземляє базу першого транзистора ІК (VT1), тим самим замикаючи ключ на VT1, VT2 (Рис. 3.7). Щоб переконатися в цьому, треба від’єднати вихід МС ЕНН від бази транзистора VT1 (точка А на

Рис. 3.7): якщо напруга на колекторах VT1 і VT2 виявиться в діапазоні 5 … 15 В, значить, припущення вірне, і мікросхему ЕНН слід замінити. Очевидно, що, йдучи від протилежного, можна перевірити справність імпульсного ключа.

Для перевірки правильності роботи транзисторного ключа, або підсилювача струму, до бази першого транзистора VT1 при отсоединенном виході МС ЕНН треба підключити мікровимикач SB1 з фіксацією стану, наприклад міні-тумблер MTS-1 (на Рис. 3.7 показаний пунктиром). У розімкнутому стані SB1 напруга в об’єднаній точці колекторів VT1, VT2 має бути в межах 5 … 15 В, а при замиканні контактів SB1 воно має збільшитися в телефонній лінії до +60 В. Якщо цього не сталося, значить, «пробиті» транзистор VT1 або VT2. При виході з ладу навіть одного з них бажано замінити обидва, причому на вітчизняні аналоги, оскільки останні більш стійкі до перенапруження і імпульсного характеру роботи даного вузла. Для заміни транзисторів ІК підходять КТ503.

Аналогічно перевіряється стан розмовного вузла (РК), якщо він задіяний у схемі ТА.

Рис. 3.7. Типове з’єднання виходу МС ЕНН і імпульсного транзисторного ключа

Рис. 3.8. Схема підключення дублюючого живлення до МС ЕНН

Якщо все ж несправність виявлена ​​в ланцюзі харчування МС ЕНН, не змінюючи схеми і не витрачаючи час на ремонт ТА, розумно продублювати харчування МС ЕНН так, як це показано на Рис. 3.8.

Джерело: Кяшкаров А. П., Збери сам: Електронні конструкції за один вечір. – М .: Видавничий дім «Додека-ХХ1», 2007. – 224 с .: іл. (Серія «Збери сам»).