Переваги і недоліки ІМС силової електроніки, реалізованих за різними технологіями
Основні переваги і недоліки ІМС силової електроніки, виготовлених за різними технологіями (біполярним, КМОП, ДМОП, КДМОП, БіКМОП, БіКДМОП), в узагальненому вигляді представлені у зведеній табл. 4.1.
Розробник силового приладу вже на стадії складання технічного завдання повинен приймати рішення про вибір технологічного базису реалізації конструкції, і дані цієї таблиці необхідно брати до увагу поряд з аналізом вимог, що пред’являються до функціональних можливостей, електричним і динамічним параметрам, конструкції корпусу проектованого силового пристрою.
Таблиця 4.1. Переваги і недоліки ІМС силової електроніки, реалізованих за різними технологіями
Технологія |
Гідності |
Недоліки |
1. Біполярна |
1. На даної технології легко реалізуються ІМС силової електроніки з усіма необхідними захистами: – Від перевищення температури кристала; – Від короткого замикання; – Від перевищення вхідної напруги. 2. Малий технологічний розкид параметрів (С /оп, UBих…) |
– Досить високий власний струм споживання (біполярний транзистор управляється струмом). – Великі значення прохідних напружень l /ds (Для ІМС стабілізаторів напруги). – Низька щільність упаковки |
2. КМОП |
– Низький власний струм споживання. – Низькі значення прохідних напружень l /d8. – Висока щільність упаковки |
– Великий технологічний розкид параметрів (U0п, З / вих ···) · – На КМОП технології не реалізується захист від перевищення температури кристала (необхідний біполярний транзистор) |
3. ДМОП |
– Підвищені пробивні напруги |
– У чистому вигляді в ІМС ДМОП- транзистори не використовуються (тільки спільно з КМОП, БіКМОП) |
4. БіКМОП |
– Поєднує переваги біполярної і КМОП-технологій |
– Велика вартість кристалів |
5. КДМОП |
– Поєднує переваги біполярної і КМОП і ДМОП-технологій |
– Недоліки КМОП |
6. БіКДМОП |
– Поєднує переваги біполярної, КМОП і ДМОП-технологій |
– Ще більша вартість кристала |
Рис. 3.82 *. Схема вхідних каскадів компараторов на рМОП- (а) і пМОП- (б) транзисторах
Для студентів і інженерів, бажаючих більш глибоко вивчити питання технології виготовлення кристалів силових приладів, автори рекомендують крім класичних підручників з технології звернутися до робіт [62-89], де більш детально викладені теоретичні та експериментальні результати досліджень і оптимізації різних технологічних процесів виготовлення силових приладів, режимів виконання технологічних операцій, матеріалів і реактивів, що використовуються при їх виготовленні.
Джерело: Білоус О.І., Єфименко С.А., Турцевич А.С., Напівпровідникова силова електроніка, Москва: Техносфера, 2013. – 216 с. + 12 с. кол. вкл.
Сподобалася стаття? Натисни "+1"! :
Ще статті:
- STMicro анонсувала нову серію транзисторів з технологією STripFET (0)
- Відеокамера «на вістрі» сірники - новітнє досягнення в області мініатюрної електроніки (0)
- Автомат для водозабору (0)
- Економічний джерело живлення з малою різницею вхідної та вихідної напруги 5В 1А (0)
- А. Я. УСІК - ЗАСНОВНИК І ПЕРШИЙ ДИРЕКТОР ІНСТИТУТУ РАДІОФІЗИКИ І ЕЛЕКТРОНІКИ НАН УКРАЇНИ (До 100-річчя від дня народження академіка НАН України А. Я. Усикова) - ЧАСТИНА 1 (0)
- А. Я. УСІК - ЗАСНОВНИК І ПЕРШИЙ ДИРЕКТОР ІНСТИТУТУ РАДІОФІЗИКИ І ЕЛЕКТРОНІКИ НАН УКРАЇНИ (До 100-річчя від дня народження академіка НАН України А. Я. Усикова) - ЧАСТИНА 2 (0)
- А. Я. УСІК - ЗАСНОВНИК І ПЕРШИЙ ДИРЕКТОР ІНСТИТУТУ РАДІОФІЗИКИ І ЕЛЕКТРОНІКИ НАН УКРАЇНИ (До 100-річчя від дня народження академіка НАН України А. Я. Усикова) - ЧАСТИНА 3 (0)
Ваш відгук