Основні переваги і недоліки ІМС силової електроніки, виготовлених за різними технологіями (біполярним, КМОП, ДМОП, КДМОП, БіКМОП, БіКДМОП), в узагальненому вигляді представлені у зведеній табл. 4.1.

Розробник силового приладу вже на стадії складання технічного завдання повинен приймати рішення про вибір технологічного базису реалізації конструкції, і дані цієї таблиці необхідно брати до увагу поряд з аналізом вимог, що пред’являються до функціональних можливостей, електричним і динамічним параметрам, конструкції корпусу проектованого силового пристрою.

Таблиця 4.1. Переваги і недоліки ІМС силової електроніки, реалізованих за різними технологіями

Технологія

Гідності

Недоліки

1. Біполярна

1. На даної технології легко реалізуються ІМС силової електроніки з усіма необхідними захистами:

– Від перевищення температури кристала;

– Від короткого замикання;

– Від перевищення вхідної напруги.

2. Малий технологічний розкид параметрів (С /оп, UBих…)

– Досить високий власний струм споживання (біполярний транзистор управляється струмом).

– Великі значення прохідних напружень l /ds (Для ІМС стабілізаторів напруги).

– Низька щільність упаковки

2. КМОП

– Низький власний струм споживання.

– Низькі значення прохідних напружень l /d8.

– Висока щільність упаковки

– Великий технологічний розкид параметрів (U0п, З / вих ···) ·

– На КМОП технології не реалізується захист від перевищення температури кристала (необхідний біполярний транзистор)

3. ДМОП

– Підвищені пробивні напруги

– У чистому вигляді в ІМС ДМОП- транзистори не використовуються (тільки спільно з КМОП, БіКМОП)

4. БіКМОП

– Поєднує переваги біполярної і КМОП-технологій

– Велика вартість кристалів

5. КДМОП

– Поєднує переваги біполярної і КМОП і ДМОП-технологій

– Недоліки КМОП

6. БіКДМОП

– Поєднує переваги біполярної, КМОП і ДМОП-технологій

– Ще більша вартість кристала

Рис. 3.82 *. Схема вхідних каскадів компараторов на рМОП- (а) і пМОП- (б) транзисторах

Для студентів і інженерів, бажаючих більш глибоко вивчити питання технології виготовлення кристалів силових приладів, автори рекомендують крім класичних підручників з технології звернутися до робіт [62-89], де більш детально викладені теоретичні та експериментальні результати досліджень і оптимізації різних технологічних процесів виготовлення силових приладів, режимів виконання технологічних операцій, матеріалів і реактивів, що використовуються при їх виготовленні.

Джерело: Білоус О.І., Єфименко С.А., Турцевич А.С., Напівпровідникова силова електроніка, Москва: Техносфера, 2013. – 216 с. + 12 с. кол. вкл.