Біполярні транзистори, включені за схемою Дарлінгтона, т. Е. З’єднані із загальним колектором (транзистор Дарлінгтона), часто є складовим елементів радіоаматорських конструкцій. Як відомо, при такому включенні коефіцієнт посилення по струму, як правило, збільшується в десятки разів. Однак домогтися значного запасу працездатності за напругою, воздействующему на каскад, вдається не завжди. Підсилювачі за схемою Дарлінгтона, що складаються з двох біполярних транзисторів (Рис. 1.23), часто виходять з ладу при впливі імпульсного напруги, навіть якщо воно не перевищує значення електричних параметрів, зазначених у довідковій літературі.

З цим неприємним ефектом можна боротися різними способами. Одним з них – найпростішим – є наявність в парі транзистора з великим (в кілька разів) запасом ресурсу по напрузі колектор-емітер. Відносно висока вартість таких «високовольтних» транзисторів призводить до збільшення собівартості конструкції. Можна, звичайно, придбати спеціальні складові кремнієві транзистори в одному корпусі, наприклад: КТ712, КТ825, КТ827, КТ829, КТ834, КТ848, КТ852, КТ853, КТ894, КТ897, КТ898, КТ972, КТ973 та ін. Цей список включає потужні і середньої потужності прилади, розроблені практично для всього спектру радіотехнічних пристроїв. А можна скористатися класичною схемою Дарлінгтона – з двома паралельно включеними польовими транзисторами типу КП501В – або використовувати прилади КП501А … В, КП540 та інші з аналогічними електричними характеристиками (Рис. 1.24). При цьому висновок затвора підключають замість бази VT1, а висновок витоку – замість емітера VT2, висновок стоку – замість об’єднаних колекторів VT1, VT2.

Рис. 1.23. Схема включення транзисторів за схемою Дарлінгтона

Рис. 1.24. Заміна польовими транзисторами складеного транзистора за схемою Дарлінгтона

Після такої нескладної доробки, тобто заміни вузлів в електричних схемах, універсального застосування, підсилювач струму на транзисторах VT1, VT2 не виходить з ладу навіть при 10-кратної і більше перевантаженні по напрузі. Причому опір обмежувального резистора в ланцюзі затвора VT1 також збільшується в кілька разів. Це призводить до того, що польові транзистори мають більш високий вхідний опір і, як наслідок, витримують перевантаження при імпульсному характері управління даними електронним вузлом.

Коефіцієнт посилення по струму отриманого каскаду не менше 50. Збільшується прямо пропорційно збільшенню напруги живлення вузла.

Елементи схеми і їх призначення

Резистор Rt. Опір резистора залежить від характеру на грузки і вибирається таким, щоб на виводі затвора паралельно з’єднаних польових транзисторів присутнє 0,5 Упіт. При цьому максимальний струм не повинен перевищувати 0.2 А (у разі застосування польового транзистора із серії КП501).

Польові транзистори VT1, VT2. При відсутності дискретних транзисторів типу КП501А … В можна без втрати якості роботи пристрою використовувати мікросхему 1014КТ1В. На відміну, наприклад, від 1014КТ1А і 1014КТ1Б ця мікросхема витримує більш високі перевантаження по прикладеній напрузі імпульсного характеру – до 200 В постійної напруги. Цоколевка включення транзисторів мікросхеми 1014КТ1А … 1014К1В показана на Рис. 1.25.

Так само як і в попередньому варіанті (Рис. 1.24), польові транзистори включають паралельно.

Рис. 1.25.

Цоколевка польових транзисторів в мікросхемі 1014КТ1А … В

Автор випробував десятки електронних вузлів, включених за схемою Дарлінгтона. Такі вузли використовуються в радіоаматорських конструкціях як струмових ключів аналогічно складовим транзисторів, включеним за схемою Дарлінгтона. До перелічених вище особливостей польових транзисторів можна додати їх енергоекономічність, так як в закритому стані через високого вхідного опору вони практично не споживають струму. Що стосується вартості таких транзисторів, то сьогодні вона практично така ж, як і вартість середньоглибокі транзисторів типу КТ815, КТ817, КТ819 (і аналогічним їм), які прийнято використовувати як підсилювач струму для керування пристроями навантаження.

Джерело: Кяшкаров А. П., Збери сам: Електронні конструкції за один вечір. – М .: Видавничий дім «Додека-ХХ1», 2007. – 224 с .: іл. (Серія «Збери сам»).