На підставі даних (отриманих з використанням RSM методології), що показують «відгук» вихідних характеристик технологічного маршруту формування структури η-МОП транзистора на флуктуації значущих технологічних параметрів, далі проводиться статистичний аналіз електричних характеристик приладу – в обговорюваному тут прикладі – η-МОП транзистора.

Перший крок процедури статистичного аналізу приладу (тут п-МОП транзистор) полягає в «перетворенні» технологічних параметрів в вахи транзистора з використанням модуля ATLAS програмного комплексу компанії Silvaco. Другий крок полягає в екстракції SPICE-параметрів з Вахова на підставі математичного опису моделі транзистора, наприклад, BSIM4, з подальшою процедурою оптимізації [107] або з використанням процедури аналітичної обробки Вахова, закладеної в модулі ATLAS (тут параметр FTH0). Деякі SPICE-параметри визначаються безпосередньо з технології (тут Ν$υΒ – Концентрація домішок в підкладці і обговорена вище величина ^.).

В якості електричної характеристики досліджуваного п-МОП транзистора розглядалася залежність напруги на стоці від напруги на затворі транзистора (від 0 до 3 В). Нижче наведені графіки отриманих залежностей вольтамперних характеристик при номінальних значеннях технологічних параметрів (рис. 5.14, див. кол. вклейку), при максимальній (рис. 5.15, див. кол. вклейку) і мінімальною (рис. 5.16, див. кол. вклейку) величиною граничної напруги, а також всі три розглянутих ВАХ, наведені на одному графіку (рис. 5.17, див. кол. вклейку).

Рис. 5.14. Результат розрахунку вольт-амперної характеристики η-ΜΟΠ-транзистора, отриманого при номінальних технологічних параметрах (порогового напруги ^ “= 0,511 В)

Рис. 5.15. Результат розрахунку вольт-амперної характеристики п-МОП-транзистора при умовах, що дають максимальне значення величини порогового напруги (Утіо = 0,537 В) з усіх досліджених в статистичному аналізі

Рис. 5.16. Результат розрахунку вольт-амперної характеристики п-МОП-транзистора при умовах, що дають мінімальне значення величини порогового напруги (Утіо = 0,471 В) з усіх досліджених в статистичному аналізі

Рис. 5.17. Зведені залежності напруги на затворі від струму стоку, представлені на рис. 5.32-5.34

На підставі використання власної методики екстракції SPICE-na- раметров із сукупності вольт-амперних характеристик отримані наступні SPICE-параметри в моделі nmos NMOS досліджуваного МОП-транзистора, відповідні структурі і розподілів домішок, розрахованих при моделюванні технологічного маршруту її формування:

.MODEL nmos NMOS (LEVEL=3 Xj=0.172986e-6 VTO=0.50801 + NSUB=1E17)

Параметр NSUB був заданий як вихідний при моделювання технології.

Джерело: Білоус О.І., Єфименко С.А., Турцевич А.С., Напівпровідникова силова електроніка, Москва: Техносфера, 2013. – 216 с. + 12 с. кол. вкл.