На рис. 3.17 представлені два варіанти реалізації схеми захисту виходу мікросхеми від наслідків впливу струму, що протікає на виході мікросхеми в режимі короткого замикання.

Схема на рис. 3.17а характеризується тим, що при збільшенні вихідного струму (/ их) Створюється падіння напруги на низькоомними резисторі R1. При досягненні напруги від 0,65 до 0,67 В відкривається транзистор ТЗ. Його струм колектора обмежує струм бази транзистора Т1, і вихідний струм уменьшается.Ріс. 3.17. Схеми захисту від струму короткого замикання виходу ІМС стабілізатора напруги

Схема на рис. 3.176 характеризується тим, що при збільшенні чисельного значення вихідного струму створюється падіння напруги на низькоомними резисторі R1. Струм генератора (ΤΙ, Т2), який є струмом бази ТЗ, змінюється, і, отже, зменшується (обмежується) вихідний струм стабілізатора.

Підгонка параметрів мікросхем в процесі виробництва шляхом перепалювання перемичок

У процесі виробництва пластин ІМС параметри елементної бази мають технологічний розкид. Різні значення приймають 1 /БЕ включеного транзистора, опору шарів бази, емітера, колектора, опору контактів до розкритим областям, опору резисторів та ін. Внаслідок цього параметри ІМС (для стабілізаторів це насамперед Uon і 1 /вих) Будуть відрізнятися від пластини до пластини і навіть від кристала до кристалу на одній пластині.

Для того, щоб параметри ІМС відповідали більш жорстким вимогам, ніж це забезпечує розкид серійного технологічного процесу, використовується операція підгонки параметрів ІМС в процесі виробництва.

Рис. 3.18. Класична схема ІОН з напругою забороненої зони напівпровідника

Технологічний розкид чисельних значень основного електричного параметра ІМС стабілізатора «Вихідна напруга» без підгонки в процесі виробництва становить від 2 до 5% (початкова точність установки вхідної напруги). Тобто, для пятівольтного стабілізатора вихідна напруга може приймати значення від 4,75 до 5,25 В. Для забезпечення більшої точності установки 1 /вих необхідна підгонка в процесі виробництва. Шляхом підгонки можливе досягнення 1 /лик ± 0,5% і менше. Зазвичай підганяються чисельні значення величини опору резисторів. Згадаймо класичну схему ІОН з напругою забороненої зони напівпровідника (рис. 3.18). Для установки точного значення вихідної напруги 5 В можлива підгонка резисторів R5, R6. Для установки точного значення опорного напруги Uon 1,22 В можлива підгонка резистора R2.

Рис. 3.19. Схема включення діодних (д), полікремнієвих і металевих А1 (б) перемичок

У процесі підгонки послідовно (або паралельно) секціям основного резистора підключаються (або відключаються) додаткові секції резисторів (рис. 3.19).

На рис. 3.19д показаний випадок паралельного підключення діодних перемичок, а на рис. 3.195 – полікремнієвих і металевих перемичок. Вибір першого або другого методу визначається конкретними можливостями використовуваного для виготовлення ІМС базового технологічного процесу.

На рис. 3.20 представлена ​​типова структура діодних, металевих і полікремнієвих перемичок, використовуваних для підгонки параметрів у процесі серійного виробництва.

Рис. 3.20. Ескізна топологія і структура діодних перемичок

Рис. 3.21. Ескіз конструкції перепалюваних перемичок – металева {а) і полікремневая (б)

На рис. 3.21 представлений ескіз топології металевої (а) і полікремнієвої (б) перепалюваних перемичок.

Джерело: Білоус О.І., Єфименко С.А., Турцевич А.С., Напівпровідникова силова електроніка, Москва: Техносфера, 2013. – 216 с. + 12 с. кол. вкл.