Основи матеріалознавства

Зєднання AIVBVI З розглянутих вище прикладів може створитися невірне враження, що напівпровідниковими властивостями володіють тільки зєднання з тетраедричних або похідною від неї координацією атомів Зєднання AIVBVI, до яких відносяться халькогеніди свинцю, олова і германію, також володіють напівпровідниковими властивостями, хоча їх структу

Потрійні сполуки і тверді розчини на їх основі є воістину невичерпним джерелом напівпровідникових матеріалів з широ ким спектром фізико-хімічних властивостей Хімічні звязки в потрійних напівпровідникових фазах, також як і в подвійних, носять змішаний характер – ковалентно-іонний-металевий Специфіка звязків у цих матеріалах обумовлена ​​наявністю атомів трьох сортів

Реальні хімічні речовини, з якими практично доводиться мати справу, і навіть надчисті кристали елементарних напівпровідників Ge і Si завжди містять залишкові домішки, тобто завжди представляють собою речовини, що складаються з декількох хімічних елементів Взаємодія хімічних елементів, що утворюють даний матеріал, може бути вельми складним Конкретний результат цієї взаємодії залежить від крісталлохимічеськой природи взаємодіючих елементів, їх […]

Розглянемо поведінку домішок в напівпровідникових зєднаннях на прикладі сполук типу AIIIBV Поведінка домішок у зєднаннях типу AIIIBV так само, як і в елементарних напівпровідниках, визначається положенням домішки в періодичній системі, проте воно стає більш складним через ускладнення будови основної речовини У зєднаннях зростає число різних позицій, які можуть займати домішкові атоми

Для вивчення дифузії в твердих тілах в даний час розроблено велику кількість фізичних і фізико-хімічних методів дослідження Ці методи засновані на вимірі розподілу концентрації диффундирующего речовини в досліджуваному зразку в залежності від часу і температури дифузійного відпалу При цьому розподіл концентрації визначається або прямими вимірами її в різних частинах досліджуваного зразка за допомогою хімічних, спектроскопічних, […]

До теперішнього часу найбільш повні дані про коефіцієнти дифузії різних домішок отримані для германію та кремнію Спочатку основна увага при дослідженні дифузії було зосереджено на визначенні коефіцієнтів дифузії тих домішок, які суттєво змінювали електричні властивості цих напівпровідників і приводили до виникнення p − n-Переходів До таких домішок перш за все відносяться елементи IIIA і VA […]

Дислокації – Лінійні дефекти кристалічної решітки типу обриву або зсуву атомних площин, що порушують правильність їх чергування Енергія освіти дислокацій істотно вище енергії утворення точкових дефектів, тому вони не можуть існувати у вимірних концентраціях як термодинамічно стійкі дефекти Вони легко утворюються при вирощуванні монокристалів або епітаксійних плівок, що супроводжується термічними, механічними та концентраційними напруженнями, що […]

До цих пір ми не поділяли гомо гетероепітаксіі Однак при гетероепітаксійних вирощуванні плівок існують специфічні проблеми Одна з них – це питання про характер сполучення кристалічних граток вирощуваної плівки і підкладки на межі розділу Наведемо основні з існуючих уявлень з цього питання

При наявності вакансії в обсязі або в поверхневому шарі решітки-якої з сусідніх з нею атомів може стрибком зайняти її місце Це рівнозначно тому, що вакансія стрибком переміститься на місце атома Багаторазове повторення такого акта і буде представляти собою міграцію вакансій і відповідно дифузію атомів у зворотному напрямку Однак навіть при переході атома зі свого вузла […]

Вирощування кристалів з розплаву в даний час є найбільш поширеним промисловим процесом, тому що в порівнянні з іншими методами методи вирощування з розплаву володіють найвищою продуктивністю Це обумовлено тим, що в розплавах дифузійні процеси в рідкій фазі (дифузія до фронту кристалізації компонентів кристаллизующейся фази) не є лімітуючої стадією процесу За допомогою цих методів можна отримувати […]