Силова електроніка

МОП транзистор з малою довжиною каналу (меншою 1 мкм) може бути сформований таким чином: спочатку крізь розкрите вікно проводять легування р типу, а потім через те ж вікно проводять легування п+ витоків. Оскільки через полікремнієвих затвора виходить самосовмещеніе п+ір областей, ефективна довжина каналу визначається як відстань між двома горизонтальними областями п+ і р типу провідності. […]

Типовий симистор має три електроди: МТ1, МТ2 і керуючий електрод G (рис. 2.19). Симистор є пристроєм, здатним проводити струм в двох напрямках. Симистор еквівалентний двом тиристорам, сполученим назустріч один одному, які мають загальний керуючий електрод (рис. 2.19б).

БіКМОП технологія характеризується виготовленням на одному кристалі ІМС п-МОП 1, р-МОП 2, п-р-п 3, р-п-р 4 транзисторів, а також пасивних елементів. Послідовність технологічних операцій приведена нижче. На підкладці p-типу провідності методом дифузії або іонним легуванням сурми (або миш’яку) формують п+ прихований шар 5.

На рис. 3.46 представлені ескізи узагальненої конструкції класичної електричної машини [29] – електродвигуна або генератора. Нерухома частина машини – це статор 1, рухлива або обертається частина – Ротор 2. Ротор розташовується в так званій розточуванню статора і відділений від нього повітряним зазором. Одна із зазначених частин машини забезпечена елементами, збудливими в машині магнітне поле (наприклад, […]

На підставі даних (отриманих з використанням RSM методології), що показують «відгук» вихідних характеристик технологічного маршруту формування структури η-МОП транзистора на флуктуації значущих технологічних параметрів, далі проводиться статистичний аналіз електричних характеристик приладу – в обговорюваному тут прикладі – η-МОП транзистора.

Моделювання схеми інвертора на базі сформованого η-МОП-транзистора, результати статистичного аналізу якого викладені та обговорені в розд. 6.4.2, проводилося з використанням програмного засобу ICFlow комплексу компанії MentorGraphics.

Необхідність такого захисту обумовлена ​​тим, що при підвищеному значенні вхідної напруги ІМС стабілізатора напруги вихідні каскади розсіюють неприпустимо велику потужність. Таким чином, схеми захисту від підвищеної вхідної напруги обмежують потужність розсіювання вихідних каскадів. Схеми електричні таких захистів можуть відрізнятися, але принцип дії у них однаковий – вони обмежують значення струму бази вихідних транзисторів. Спрощена еквівалентна […]

Розробнику енергозберігаючої апаратури, який використовує сучасну елементну базу силової електроніки, необхідно вміти правильно організовувати структуру управління потужними силовими напівпровідниковими приладами. Нижче розглянемо найбільш часто зустрічаються на практиці випадки організації такого управління. В залежності від конкретної ситуації можна використовувати керування КМОП-логікою, емітгернимі повторителями, схемами управління з поділом ланцюгів заряду і розряду вхідний ємності. Розглянемо особливості організації […]

З точки зору методів і конструктивних рішень проблеми відведення тепла всі корпуси для напівпровідникових приладів та ІМС силової електроніки можна розділити на три групи (рис. 6.2):

Біполярний транзистор – це напівпровідниковий прилад, виготовлений у вигляді тришарової напівпровідникової структури, що утворює два близько розташованих р-п-переходу. Транзистор має три висновки: «емітер», «База», «колектор».