Силова електроніка

Найбільш широке поширення в ІМС стабілізаторів напруги та інших аналогових ІМС в даний час отримали джерела опорного напруги, рівного ширині забороненої зони напівпровідника [16]. В основі принципу роботи такої схеми лежить ідея генерації напруги з позитивним температурним коефіцієнтом, рівним по абсолютній величині негативного температурному коефіцієнту напруги 1 /‘е (Або діода). У такому випадку при додаванні […]

В даний час розроблені і серійно випускаються ІМС управління колекторними двигунами змінного струму типу ILA1185AD / ILA1185ΑΝ, IL9010D / IL9010N, IL2010BD / IL2010DN. Всі ці ІМС використовують зовнішній симистор для роботи [23]. Мікросхеми в основному призначені для стабілізації швидкості обертання колекторного двигуна змінного струму. Харчування може здійснюватися від мережі змінного струму напругою 110 В і […]

У табл. 3.7 наведені основні технічні характеристики базової серії вітчизняних мікросхем управління імпульсними джерелами живлення з переліком наявних в їх складі різних вбудованих (embedded) пристроїв захисту. Коротко розглянемо основні схемотехнічні особливості цих типових представників базової серії вітчизняних мікросхем управління імпульсними джерелами живлення.

Біполярні технології розглянемо на прикладі так званої «сорокавольтовой» біполярної технології з ізоляцією p-η переходом, яка була історично першою технологією для виробництва кристалів ІМС силової електроніки. На рис. 4.1 представлений вертикальний зріз типовий напівпровідникової структури біполярної силовий мікросхеми.

Вплив розкиду фізичних параметрів технологічного процесу виготовлення ІМС на параметри моделі транзистора моделюється з використанням так званої проміжної моделі [105]. Концепція перетворення технологічних параметрів в параметри моделі приладу ілюструється рис. 5.2. Тут проміжної моделлю є компактна модель приладу, за допомогою якої розраховуються вольт-амперні характеристики МОП-транзистора, а її рівняння мають звичайну структуру різних моделей транзистора (BSIM3, […]

Система електроживлення автомобіля складається з акумулятора і генераторної установки (рис. 3.89).

Описувана тут методологія наскрізного статистичного проектування ТПСС, запропонована авторами в роботах [106-109], тестувалася на простому прикладі осередку інвертора, сформованому на основі МОП-транзисторів. Статистичний аналіз параметрів технології

Для побудови цілого ряду приладів побутової та промислової техніки необхідні драйвери, які можуть працювати як з нижнім, так і з верхнім ключем стійки (напівміст). Оскільки напруга живлення транзисторного напівмоста може становити кілька сотень вольт, таке ж напруги повинна витримувати і конструкція самого драйвера.

Потужний біполярний транзистор є приладом з вертикальною структурою: з колектором на підкладці і висновками бази і емітера зверху (рис. 2.7) [15]. Колектор транзистора має дві області: слаболегірованних rr-область і сильнолегованих підкладку (рис. 2.1а). rr-область колектора легується слабкіше, ніж область бази, для того щоб змусити ОПЗ колекторного переходу розширюватися головним чином в колектор, а не в […]

Схемотехніка та особливості застосування вітчизняних мікросхем для джерел живлення досить широко висвітлені в літературі [19, 21, 23, 25, 26]. Опис особливостей роботи імпульсних джерел живлення також можна знайти в спеціальній літературі, наприклад, [15, 18]. Як відомо, в імпульсних джерелах живлення вхідна нестабілізована напруга перетвориться в досить високочастотне (більше 20 кГц). При цьому, щоб отримати необхідний […]