Абрамов І І, Баранов А Л Білоруський державний університет інформатики і радіоелектроніки П Бровки 6, М Мінськ, 220013, Білорусь e-mail: nanodev@bsuireduby Для теоретичного дослідження одноелектронної приладової структури, зображеної на рис1, була розроблена модифікована фізікотопологіческая модель, яка поширює запропонований підхід [2,4 – 10] на випадок композиційної структури на основі кремнію Модель базується на чисельному рішенні рівняння […]

Абрамов І І, Лавринович О М Білоруський державний університет інформатики і радіоелектроніки П Бровки 6, Мінськ, 220013, Білорусь E-mail: nanodev@bsuireduby Анотація – Описано результати моделювання одноелектронних матриць тунельних переходів з різною кількістю острівців з використанням розробленої фізико-топологічної моделі

Абрамов І.І., Ігнатенко С.А. Білоруський державний університет інформатики і радіоелектроніки Білорусь, 220013, Мінськ, П. Бровки 6. E-mail: nanodev (3> _bsuir.edu.bv ного переходу; e заряд електрона; kB постійна Больцмана; T-температура.

Абрамов І. І., Гончаренко І. А. Білоруський державний університет інформатики і радіоелектроніки П. Бровки, 6, Мінськ – 220013, Білорусь e-mail: nanodev@bsuir.edu.by Джерело: Матеріали Міжнародної Кримської конференції «СВЧ-техніка і телекомунікаційні технології»

Абрамов І. І., Ігнатенко С. А., Павленок С. Н. Білоруський державний університет інформатики і радіоелектроніки Білорусь, 220013, Мінськ, П. Бровки 6