Баранов А В ТОВ «Ельдорадо» м Нижній Новгород, вул Ларіна, 1, 603107, Росія тел: 832-664482, e-mail: eldorado@sandyru Анотація – Запропоновано новий високочастотний варіант побудови підсилювачів в режимі класу «Е» з послідовною ключу індуктивністю Дан аналіз роботи таких підсилювачів Отримано формули для їх імпедансу навантажувальною ланцюга і максимальної робочої частоти Показано, що для розробки підсилювачів великої […]

Львів В Ф, Машінін О В, Прапорщиків В В, Синіцина Т В ТОВ «БУТІС-М» Москва, 121357, Росія тел: (495) 411-96-08 e-mail: ButisM @ runet Входи ГС (від ефірних прийомних антен)

2) розроблена і реалізована комплексна цільова програма «Система», в рамках якої був виконаний ряд задільних робіт з освоєння технологічних процесів, метрологічного забезпечення, розвитку методів моделювання компонентів МІС і ГМІС, САПР СВЧ. 3) створений єдиний центр, який об’єднує розробників, конструкторів, технологів та лабораторно базу мікроелектроніки інституту (НВЦ «Мікроприлад»).

Сухоручко О. Н., Білоус О. І., Касьяненко А. П., Фісун А. І. Інститут радіофізики та електроніки ім. А. Я. Усикова НАН України вул. акад. Проскури, 12, Харків 61085 Тел: + (38 0572) 448 308, e-mail: afis@ire.kharkov.ua Анотація Розглянуто питання розробки параметричного підсилювача і квазіоптичного генератора накачування, призначених для застосування у вхідних ланцюгах систем зв’язку та […]

Гармаш С. В., Кіщинський А. А. ФГУП «Центральний науково-дослідний радіотехнічний інститут» Росія, 105066, Москва, вул. Нова Басманна, д. 20 Тел.: +7 (095) 263-96-29; e-mail: amplifiers@mail.ru; www.microwave.ru Анотація – У доповіді викладено результати розробки гібридно-монолітних підсилювачів потужності діапазону частот 6 – 18 ГГц з вихідною потужністю в лінійному режимі понад 300 мВт, призначених для використання в […]

Кіщинський А. А. ФГУП «Центральний науково-дослідний радіотехнічний інститут» Росія, 105066, Москва, вул. Нова Басманна, д. 20 Тел.: +7 (095) 263-96-29; e-mail: amplifiers@mail.ru Анотація – Розглянуто світової технічний рівень і тенденції розвитку напрямку транзисторних підсилювачів потужності НВЧ і міліметрового діапазону, транзисторів і монолітних інтегральних схем підвищеної потужності.