Зєднання AIVBVI З розглянутих вище прикладів може створитися невірне враження, що напівпровідниковими властивостями володіють тільки зєднання з тетраедричних або похідною від неї координацією атомів Зєднання AIVBVI, до яких відносяться халькогеніди свинцю, олова і германію, також володіють напівпровідниковими властивостями, хоча їх структу

При наявності вакансії в обсязі або в поверхневому шарі решітки-якої з сусідніх з нею атомів може стрибком зайняти її місце Це рівнозначно тому, що вакансія стрибком переміститься на місце атома Багаторазове повторення такого акта і буде представляти собою міграцію вакансій і відповідно дифузію атомів у зворотному напрямку Однак навіть при переході атома зі свого вузла […]

При зближенні ізольованих атомів і утворенні кристала їх електронні оболонки перекриваються Взаємодія електронів, що належать різним атомам, викликає розщеплення атомних дискретних енергетичних рівнів ізольованих атомів Першими починають розщеплюватися рівні, відповідні електронам, найбільш віддаленим від ядра, тобто перебувають на зовнішніх оболонках атома При рівноважному міжатомних відстані r0 розщеплені рівні всіх орбіталей, що беруть участь в утворенні […]

Метод дисоціації або відновлення газоподібних хімічних сполук виявляється досить ефективними для вирощування з газоподібної фази монокристалічних злитків тугоплавких сполук, компоненти яких при прийнятних технологічних температурах володіють незначними тисками парів У цьому методі для отримання монокристалів з газової фази використовуються хімічні реакції Джерело складається з газоподібних молекул складного складу, містять атоми речовини, що кристалізується Кристал заданого […]

Бор – єдиний елементарний напівпровідник, розташований лівіше IVA підгрупи в періодичній системі Структура його валентної оболонки – 2s2p1 У більшості зєднань він трехвалентен, тому розподіл електронів по валентним орбиталям в ньому можна представити у вигляді 2s12p2 Однак при утворенні простих sp2-гібридних звязків у борі валентна оболонка атомів бору не заповнюється повністю, проте бор, як напівпровідник, […]

У зєднаннях першого типу найбільш електронегативний елемент IVA підгрупи грає роль компонента B Розглянемо цей тип заміщення на прикладі зєднання Mg2Sn Mg2Sn кристалізується в структурі антіфлюоріта, яка показана на рис 224 Видно, що ця структура відрізняється від структури алмазу, а в молекулі два атоми A і число валентних електронів в розрахунку на один атом менше […]

1 Дислокації не можуть обриватися усередині кристала і повинні або замикатися самі на себе, або розгалужуватися на інші дислокації, або виходити на поверхню кристала Ця властивість є наслідком того, що лінія дислокації являє собою криву, уздовж якої вектор Бюргерса b залишається постійним Для вузла розгалужуються дислокацій справедлива теорема, аналогічна теоремі Кирхгофа для розгалужуються ліній струмів: […]

Ковалентний звязок здійснюється усуспільненими валентними електронами, що знаходяться на загальній для двох сусідніх атомів звязує орбіталі (Див розд 221) При цьому у разі елементарних речовин кожен з атомів «віддає» на звязок однакове число валентних електронів і добудовує свою валентну оболонку до повністю заповненої за рахунок звязують електронів найближчих сусідніх атомів в решітці З цією властивістю […]

Раніше вже говорилося, що при утворенні хімічного звязку відбувається розщеплення дискретних енергетичних рівнів ізольованих атомів на рівні, які групуються в зони, між якими можуть бути енергетичні зазори Можливі такі ситуації: 1) верхні дозволені зони перекриваються

Елементи, які мають напівпровідниковими властивостями, тобто мають переважно ковалентний тип звязку, утворюють в таблиці Д І Менделєєва компактну групу Знизу і ліворуч з нею межують метали, зверху і праворуч – речовини, у твердому стані є ізоляторами (табл 11)