Потужний біполярний транзистор є приладом з вертикальною структурою: з колектором на підкладці і висновками бази і емітера зверху (рис. 2.7) [15]. Колектор транзистора має дві області: слаболегірованних rr-область і сильнолегованих підкладку (рис. 2.1а). rr-область колектора легується слабкіше, ніж область бази, для того щоб змусити ОПЗ колекторного переходу розширюватися головним чином в колектор, а не в […]

В біполярному транзисторі з ізольованим затвором (IGBT – Isolated Gate Bipolar Transistor) з’єднані в одному кристалі за схемою складеного фактично два типи транзисторів: потужний біполярний транзистор і керуючий MOSFET (рис. 2.13).